[发明专利]半导体发光元件和发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光元件和发光装置。

背景技术

采用GaInN、AlInGaP、GaAlAs等的发光层的半导体发光元件，作为发光效率高的发光二极管利用。例如，采用GaInN等的Ⅲ族氮化物半导体的半导体发光元件，是例如在蓝宝石等的基板上，形成含有发光层的Ⅲ族氮化物半导体层而构成的。并且，存在对于配线基板以面朝上装配半导体发光元件，由此将从发光层输出的光向外部射出的发光元件。

作为公报记载的现有技术，存在下述半导体发光元件：在基板上层叠n型半导体层、发光层和p型半导体层，在成为与基板相对的一侧的p型半导体层上形成p电极，并且一部分地除去p型半导体层和发光层二者，由此在与基板相对的一侧露出的n型半导体层上形成了n电极（参照专利文献1）。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2012-28495号公报

发明内容

但是，在为了形成n电极而采用通过除去p型半导体层和发光层二者来使n型半导体层露出的结构的情况下，半导体发光元件中的发光层的面积减少，相应地有来自半导体发光元件的光输出降低的可能性。

另外，在采用不除去p型半导体层和发光层二者，在与发光层相对的部位配置n电极的结构的情况下，从发光层输出的光被n电极吸收，作为结果，有来自半导体发光元件的光输出难以增加的可能性。

本发明的目的是使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。

本发明的半导体发光元件，其特征在于，具备：第1半导体层，其由具有第1导电类型的化合物半导体构成；发光层，其在上述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置，由化合物半导体构成并且通过通电而发光；第2半导体层，其在上述发光层上与该发光层接触地设置，由具有与上述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成；第1供电电极，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与上述第1半导体层电连接；第2供电电极，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与上述第2半导体层电连接；和透明绝缘层，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由具有对于从上述发光层输出的波长的光的透射性的材料构成，并将上述第1供电电极和上述第2供电电极电绝缘，上述透明绝缘层，具有：第1透明绝缘部，其被设定为从上述发光层输出的光容易透射的第1厚度，从上述发光层看配置在上述第2半导体层的背面侧、且上述第1供电电极和上述第2供电电极不存在的部位；和第2透明绝缘部，其被设定为从上述发光层输出的光容易反射的第2厚度，配置在上述第2半导体层和上述第1供电电极之间以及该第2半导体层和上述第2供电电极之间。

在这样的半导体发光元件中，其特征在于，还具有：第1连接电极，上述第1连接电极经由贯通上述透明绝缘层、上述第2半导体层和上述发光层的孔，与上述第1半导体层电连接；和第1辅助电极，上述第1辅助电极从该发光层看设置在该第2半导体层的背面侧，将该第1连接电极和上述第1供电电极电连接。

另外，其特征在于，上述第1辅助电极由金属构成，上述第2透明绝缘部还配置在上述第2半导体层和上述第1辅助电极之间。

此外，其特征在于，上述第1连接电极和上述第1辅助电极由透明导电材料构成，上述透明导电材料具有电导性和对于从上述发光层输出的光的透射性。

另外，其特征在于，上述化合物半导体包含Ⅲ族氮化物半导体，上述第1半导体层直接或者隔着其他层在基板之上层叠。