[发明专利]半导体发光元件和发光装置有效

专利信息
申请号: 201310507863.3 申请日: 2013-10-24
公开(公告)号: CN103779472A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 王宏琳;篠原裕直;横山英祐 申请(专利权)人: 丰田合成株式会社
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/44;H01L33/46
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 元件 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体发光元件,其特征在于,具备:

第1半导体层,其由具有第1导电类型的化合物半导体构成;

发光层,其在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置,由化合物半导体构成并且通过通电而发光;

第2半导体层,其在所述发光层上与该发光层接触地设置,由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成;

第1供电电极,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由金属构成并且与所述第1半导体层电连接;

第2供电电极,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由金属构成并且与该第2半导体层电连接;和

透明绝缘层,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由具有对于从所述发光层输出的波长的光的透射性的材料构成,并将所述第1供电电极和所述第2供电电极电绝缘,

所述透明绝缘层,具有:

第1透明绝缘部,其被设定为从所述发光层输出的光容易透射的第1厚度,从所述发光层看配置在所述第2半导体层的背面侧、且所述第1供电电极和所述第2供电电极不存在的部位;和

第2透明绝缘部,其被设定为从所述发光层输出的光容易反射的第2厚度,配置在所述第2半导体层和所述第1供电电极之间以及该第2半导体层和所述第2供电电极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,还具有:第1连接电极,所述第1连接电极经由贯通所述透明绝缘层、所述第2半导体层和所述发光层的孔,与所述第1半导体层电连接;和第1辅助电极,所述第1辅助电极从该发光层看设置在该第2半导体层的背面侧,将该第1连接电极和所述第1供电电极电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件,其特征在于,

所述第1辅助电极由金属构成,

所述第2透明绝缘部还配置在所述第2半导体层和所述第1辅助电极之间。

4.根据权利要求2所述的半导体发光元件,其特征在于,所述第1连接电极和所述第1辅助电极由透明导电材料构成,所述透明导电材料具有电导性和对于从所述发光层输出的光的透射性。

5.根据权利要求1~4的任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,

所述化合物半导体包含Ⅲ族氮化物半导体,

所述第1半导体层直接或者隔着其他层在基板之上层叠。

6.一种发光装置,其特征在于,包含形成有第1配线和第2配线的基部、和对于该基部面朝上连接的半导体发光元件,

所述半导体发光元件,具备:

第1半导体层,其由具有第1导电类型的化合物半导体构成;

发光层,其在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置,由化合物半导体构成并且通过通电而发光;

第2半导体层,其在所述发光层上与该发光层接触地设置,由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成;

第1供电电极,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由金属构成并且与所述第1半导体层电连接,还与设置在所述基部的所述第1配线电连接;

第2供电电极,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由金属构成并且与所述第2半导体层电连接,还与设置在所述基部的所述第2配线电连接;和

透明绝缘层,其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧,由具有对于从所述发光层输出的波长的光的透射性的材料构成,并将所述第1供电电极和所述第2供电电极电绝缘,

所述透明绝缘层,具有:

第1透明绝缘部,其被设定为从所述发光层输出的光容易透射的第1厚度,从所述发光层看配置在所述第2半导体层的背面侧、且所述第1供电电极和所述第2供电电极不存在的部位;和

第2透明绝缘部,其被设定为从所述发光层输出的光容易反射的第2厚度,配置在所述第2半导体层和所述第1供电电极之间以及该第2半导体层和所述第2供电电极之间。

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