[发明专利]功率模块封装无效
申请号: | 201310503344.X | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN103779295A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 俞度在;梁时重 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L25/07 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;陈潇潇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 模块 封装 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年10月24日递交的名称为“Power Module Package”的韩国专利申请No.10-2012-0118521的权益,在此其所有内容通过引用被合并至本申请中。
技术领域
本发明涉及功率模块封装。
背景技术
随着近年来功率电子产业的发展,对于小尺寸、高密度电子产品的需求有所增长。因此,除了减小电子器件本身的尺寸的方法以外,在预定空间中安装尽可能多的器件和导线的方法成为在设计功率模块封装中的重要问题。
同时,根据现有技术的功率模块封装的结构已经在美国专利No.5920119中公开。
发明内容
本发明致力于提供一种功率模块封装,该功率模块封装能够通过简化程序来促进生产和节省加工成本。
此外,本发明致力于提供一种功率模块封装,该功率模块封装能够减少外部连接端子的键合(bonded)区域并且提高其键合的强度。
此外,本发明致力于提供一种功率模块封装,该功率模块封装用于降低在外部连接端子之间的键合接口处出现裂缝的风险。
根据本发明的一个优选实施方式,提供了一种功率模块封装,包括:衬底,该衬底具有一个表面以及另一个表面,其中所述一个表面形成有包括芯片安装焊盘(pad)和外部连接焊盘的电路图案;半导体芯片,该半导体芯片安装在所述芯片安装焊盘上;以及外部连接端子,该外部连接端子具有一个端子和另一个端子,所述一个端子被连接至所述外部连接焊盘并且所述另一个端子突出至外部,其中,所述外部连接焊盘和所述外部连接端子通过焊接彼此键合。
所述焊接可以是选自超声焊接、激光焊接和电阻焊接中的任意一者。
所述外部连接端子的一个端子可以被形成为具有突出部,并且所述衬底可以被形成为具有对应于该突出部的插入槽。
所述衬底可以包括:金属板;绝缘层,该绝缘层形成在所述金属板上;以及电路图案,该电路图案形成在所述绝缘层上并且包括芯片安装焊盘和外部连接焊盘,其中通过穿过所述外部连接焊盘来在所述绝缘层的厚度方向上以预定的深度形成插入槽。
所述外部连接端子可以具有针形。
所述外部连接端子可以被形成使得所述一个端子的直径大于所述另一个端子的直径。
所述外部连接端子可以具有从所述一个端子向所述另一个端子减小的直径。
所述功率模块封装还可以包括:外壳,该外壳形成在所述衬底上并且覆盖所述衬底的所述一个表面、半导体芯片以及所述外部连接端子的一部分并且将所述外部连接端子的所述另一个端子暴露至外部。
所述功率模块封装还可以包括:密封元件,该密封元件形成在所述外壳内以封闭所述衬底的一个表面、所述半导体芯片以及所述外部连接端子的一部分。
附图说明
本发明的上述和其它目的、特征和优点根据随后结合附图的详细描述而将被更加清楚地理解。其中:
图1是示出根据本发明优选实施方式的功率模块封装的结构的剖面图;以及
图2是示出在图1中的功率模块封装的外部连接端子的一端上形成有突出部的结构的剖面图。
具体实施方式
本发明的上述和其它目的、特征和优点根据随后结合附图的优选实施方式的详细描述而将被更加清楚地理解。在所有附图中,同样的参考标号被用于指示同样或相似的组件,并其多余描述被省略。进一步地,在以下描述中,术语“第一”、“第二”、“一侧”、“另一侧”等被用于将某一组件与其它组件区分,但是这些组件的配置不应被解释为受到这些术语的限制。进一步地,在本发明的描述中,当确定对相关技术的详细描述将会使本发明的主旨不清楚时,对它们的描述将被省略。
下文中,将参考附图对本发明的优选实施方式做详细描述。
图1是根据本发明优选实施方式的功率模块封装的结构的剖面图。
参照图1,根据本发明优选实施方式的功率模块封装100可以包括衬底110;电路图案115,该电路图案115形成在所述衬底110的一个表面并且包括芯片安装焊盘115a以及外部连接焊盘115b;安装在所述芯片安装焊盘115a上的半导体芯片120a和120b;具有一个端子和另一个端子的外部连接端子130a和130b,其中所述一个端子被键合到所述外部连接焊盘115b并且所述另一个端子突出至外部。
根据本发明的优选实施方式,所述衬底110可以被配置有金属板111、形成在所述金属板111的一个表面上的绝缘层113、以及形成在所述绝缘层113上的电路图案115。
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