[发明专利]基于硅谐振式传感器的压力生成方法在审
| 申请号: | 201310503082.7 | 申请日: | 2013-10-23 |
| 公开(公告)号: | CN104568289A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
| 发明(设计)人: | 刘海东;李彬;王斌;张金盛;窦小明;刘莉;赵佳媚;李亮;张银辉 | 申请(专利权)人: | 北京临近空间飞行器系统工程研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00;G01L19/04 |
| 代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅;刘昕宇 |
| 地址: | 100076 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 谐振 传感器 压力 生成 方法 | ||
技术领域
本发明属于压力生成方法,具体涉及一种基于硅谐振式传感器的压力生成方法。
背景技术
当前,航天飞行器对于压力测量要求愈来愈高,主要体现方面包括量程大、精度高、有效期长等方面。在传统应用中,以应用硅压阻传感器进行测量为主。当前,硅压阻传感器技术发展相对比较成熟。硅压阻式压力传感器利用材料的压阻效应进行压力测量,当材料受到应力作用时,其电阻或电阻率发生明显变化,硅压阻式压力传感器则通过敏感电阻或电阻率变化进而敏感压力大小。硅压阻式压力传感器的迟滞性极小,重复性极好,但是作为一种半导体器件,硅压阻传感器对温度的非线性依赖使得传感器必须实施温度补偿。同时,在长时间应用的情况下,由于电阻的应力均分效应而使得传感器灵敏度下降。因此,硅压阻式传感器存在温度补偿难度大,应用有效期短等不足。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术缺陷,提供一种基于硅谐振式传感器的压力生成方法。
本发明是这样实现的:一种基于硅谐振式传感器的压力生成方法,包括下述步骤:
步骤一:数据采集
由硅谐振传感器采集压力信息,该压力信息以频率的形式被输出,同时硅谐振传感器还采集实时的温度数据,
步骤二:数据转换
硅谐振传感器以频率形式输出的压力信息被转换为脉冲计数;硅谐振传感器输出的模拟信号的温度信息被转换数字信号形式,
步骤三:计算
用下述公式计算压力值
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京临近空间飞行器系统工程研究所;中国运载火箭技术研究院;,未经北京临近空间飞行器系统工程研究所;中国运载火箭技术研究院;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310503082.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





