[发明专利]一种刻蚀硅通孔的方法在审

申请号：	201310502864.9	申请日：	2013-10-22
公开（公告）号：	CN104576506A	公开（公告）日：	2015-04-29
发明（设计）人：	余东洋;卞祖洋;严利均	申请（专利权）人：	中微半导体设备（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L21/3065
代理公司：	上海智信专利代理有限公司 31002	代理人：	王洁
地址：	201201 上海市浦东新***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种刻蚀硅通孔方法
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【权利要求书】：

1.一种刻蚀硅通孔的方法，所述方法在一等离子体反应腔内进行，目标刻蚀基片位于所述等离子体反应腔内，其特征在于：所述刻蚀方法包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，向所述等离子体反应腔内交替通入第一刻蚀气体和沉积气体，在第二刻蚀阶段，向所述等离子体反应腔通入第二刻蚀气体，所述第一刻蚀阶段刻蚀硅通孔深度大于等于整个硅通孔深度的90%。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一刻蚀气体包括SF₆和氩气。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二刻蚀气体包括CF₄和O₂。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述第二刻蚀气体还包括SF₆和CHF₃。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述SF₆和CF₄的气体流量比小于1/10。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述O₂和所述CF₄的比例范围为1/4-1/2。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述沉积气体包括C₄F₈、氩气和氦气。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一刻蚀阶段等离子体反应腔内的压力范围为50-140mT,所述第二刻蚀阶段等离子体反应腔内的压力范围为100-200mT。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一刻蚀阶段等离子体反应腔的射频功率范围为1400瓦-4000瓦,所述第二刻蚀阶段等离子体反应腔的射频功率范围为1000瓦-4000瓦。

10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述CF₄气体流量参数范围为100sccm-1000sccm。

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