[发明专利]一种有机发光二极管阳电极的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种发光均匀的有机发光二极管（OLED）的阳电极的制备方法。

背景技术

OLED显示技术具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，而且OLED显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，从2003年开始这种显示设备在MP3播放器上得到了广泛应用，OLED屏幕却具备了许多LCD不可比拟的优势，如制造方法简单、功耗低、颜色丰富、适用于柔性衬底与大面积显示等，备受业界关注，因此它也一直被业内人士所看好。

由于氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)具有高透射率、低电阻率及高功函数等优点，因此业内通常采用ITO来制作OLED的阳电极，因为阳电极的空穴注入该有机发光层需克服该阳电极与该有机发光层间的能障，通常该阳电极的功函数(WorkFunction)越高，其空穴注入该有机发光层的能障越低，则该有机发光二极管开始发光的启动电压越低。

目前，为了提高该ITO阳电极的功函数，业界通常对ITO阳电极的表面进行氧等离子或紫外线/臭氧处理，以提高氧化铟锡层的含氧量，进而提高该阳电极12的功函数。或者，如中国专利文献CN101295771A公开的一种有机发光二极管阳电极的制备方法，其在该阳电极沉积过程中通入氧气或水蒸气或二者的混合气，使该阳电极内部与表面的含氧量皆增加，进而使提高阳电极的功函数。

然而，上述两种方法虽然都能在一定程度上提高阳电极的功函数，但是仍然存在着问题。氧等离子体处理能清洁ITO表面有机杂质，使ITO表面终端氧成份增加，进而表面极化增强，从而提高ITO表面功函数，但是氧等离子体对ITO表面的轰击会造成表面光滑度下降，这一定程度上抵消了功函数的增加效应。紫外光/臭氧处理实际上并不能增加ITO表面的功函数，其实际上仅能清洁ITO表面的有机杂质，去除了有机杂质对功函数的提高作用非常有限。而在阳电极沉积过程中通入氧气或水蒸气的混合气，其工艺周期较长，不利于提高生产效率。

发明内容

本发明针对上述问题，为了解决有机发光二极管阳电极功函数较低而导致发光不均匀的缺点，提供一种发光均匀的有机发光二极管（OLED）的阳电极的制备方法。所述方法依次包括如下步骤：

（1）在水蒸气氛围中沉积ITO材料，形成第一ITO层；

（2）对第一ITO层进行第一次处理；

（3）在水蒸气氛围中沉积ITO材料，形成第二ITO层；

（4）对第二ITO层进行第二次处理；

其中，步骤（1）的具体过程为：在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料至发光二极管的功能层上，从而形成第一ITO层；步骤（2）的具体过程为：对第一ITO层的表面进行处理。在等离子体腔中通过氧气，使得氧气等离子体化后对第一ITO层进行处理；步骤（3）的具体过程为：在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料至第一ITO层上，从而形成第二ITO层；步骤（4）的具体过程为：将完成步骤（3）的第二ITO层以双氧水浸没，对ITO层表面进行第一次紫外光照射后，对第二ITO层表面进行干燥，然后在臭氧的氛围中对该第二ITO层表面进行第二次紫外光照射，最后得到ITO阳电极。

附图说明

图1是本发明实施例1制备方法的工艺流程图。

图2是本发明实施例1的阳电极结构示意图。

图3是本发明实施例2制备方法的工艺流程图。

图4是本发明实施例2的阳电极结构示意图。

具体实施方式

实施例1

下面具体介绍本发明提出的发光均匀的有机发光二极管（OLED）的阳电极的制备方法。参见图1和2，所述方法依次包括如下步骤：

（1）在水蒸气氛围中沉积ITO材料，形成第一ITO层1；

（2）对第一ITO层1进行第一次处理；

（3）在水蒸气氛围中沉积ITO材料，形成第二ITO层2；

（4）对第二ITO层2进行第二次处理；

其中，步骤（1）的具体过程为：在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料至发光二极管的功能层上（图2中未示出），从而形成第一ITO层1；其中发光二极管的功能层是指需要在其上形成ITO阳电极的半导体层，例如p型半导体层，并且第一ITO层1所形成的厚度为ITO阳电极厚度的1/3-1/2，优选为1/3，在该步骤中，由于在水蒸气的氛围下进行第一ITO层1的沉积，所以在第一ITO层1的表面和内部都能形成富氧的ITO层，因此其功函数得以提高；