[发明专利]基板干燥方法、基板制造方法及其低温加热干燥装置无效
申请号: | 201310496961.1 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103578928A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 朱棋锋;张为腾;龚金金 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;G03F7/38 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;黄艳 |
地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 干燥 方法 制造 及其 低温 加热 装置 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示制造领域,尤其涉及在光刻胶涂布成膜后的基板干燥方法、基板制造方法,以及用于对光刻胶涂布成膜后的基板进行低温加热干燥的低温加热干燥装置。
背景技术
在平板显示制造领域中,有多种基板的制造方法。其中,黄光工艺为基板的一种传统制造方法,其主要包括清洗、脱水干燥、涂胶、减压干燥(VCD)、前烘、曝光、显影和后烘等工序。
参见图1,其示意性示出了现有的黄光工艺的基本流程图。
在现有技术的上述工艺过程中,例如,涂胶工序通常可以利用狭缝式涂胶设备实施光刻胶的涂布。而在批量生产的过程中,例如,前烘的温度可以设定为110/120℃,并且其持续时间可以设定为60-150秒。
减压干燥是黄光工序中在涂胶后使光刻胶溶剂挥发的一个重要工序。现有技术中的减压干燥装置的基本结构如图2所示。
图2示意性示出了现有的减压干燥装置的基本结构图。其中,该减压干燥装置主要包括真空腔体1、真空阀2及干泵3等,在真空腔体1中通常还设有真空计,以便测量真空腔室1内的真空度,真空阀3被设置在真空腔室1与干泵3之间。
基板(例如,玻璃基板)在涂上光刻胶之后,会被输送到减压干燥装置的真空腔体1中。干泵可以经由位于干泵与腔体1之间的连接管线对该腔体1进行抽气。
图3示意性示出了减压干燥装置的真空腔体的结构原理图,其中还示意性示出了放置在真空腔体1中的基板及排气路径。
减压干燥装置的操作过程大致为:将玻璃基板以手动或自动的方式输送到减压干燥装置的真空腔体,然后该腔体封闭,随后进行抽真空操作,之后达到低压从而完成抽气干燥。
现有的减压干燥的工艺条件大体为:将真空腔体抽真空至50Pa以下(通常设定为28Pa),并且持续时间为45-120秒。
然而,现有的光刻胶涂布成膜后的减压干燥方式具有如下缺陷:
在设备构造方面,减压干燥装置的每个腔体均需要配置一个干泵,真空腔体及干泵的购置费用高昂,其定期保养及维修费用也较高,因此造成整体设备的成本及运行成本较高。
在工艺技术方面,该工序主要是利用低压来使光刻胶的溶剂挥发,但是在抽真空的过程中,还未初步固化的光刻胶膜容易形成因空气流动造成的不均匀(Mura)和突沸造成的不均匀。
因此,需要一种基板在光刻胶涂布成膜后的干燥方法、基板的制造方法及其相关的设备,用以降低设备的制造成本及运行成本,并能够减少在较大基板上易于出现的空气流动造成的不均匀等现象的发生。
发明内容
为了解决上述现有技术的问题,本发明旨在提供一种新颖的在光刻胶涂布成膜后的基板干燥方法、基板制造方法以及用于对光刻胶涂布成膜后的基板进行低温加热干燥的低温加热干燥装置,用以克服现有技术中基板在光刻胶涂布成膜后采用减压干燥进行干燥所带来的缺陷,例如,降低设备的制造成本及运行成本,减少不均匀等现象的发生。
具体而言,本发明提供了一种在光刻胶涂布成膜后的基板干燥方法,其中该基板干燥方法为低温加热干燥,并且包括如下步骤:在光刻胶涂布成膜后,将涂布有光刻胶的基板输送到低温加热干燥装置的腔体中;在所述低温加热干燥装置的腔体中,利用低温加热干燥来挥发光刻胶。
在该基板干燥方法中,优选地,所述低温加热干燥采用的温度为40℃-70℃。
在该基板干燥方法中,优选地,所述低温加热干燥持续的时间为60秒-120秒。
在该基板干燥方法中,优选地,所述低温加热干燥装置具有单个或多个腔体。
在该基板干燥方法中,优选地,所述低温加热干燥装置具有单个腔体,所述单个腔体中的温度被设定为70℃。
在该基板干燥方法中,优选地,所述低温加热干燥装置具有两个腔体,沿加工方向位于上游的腔体中的温度被设定为40℃-50℃,并且沿加工方向位于下游的腔体中的温度被设定为70℃。
在该基板干燥方法中,优选地,该基板干燥方法应用于玻璃基板的黄光工艺生产线中。
本发明还提供一种基板制造方法,包括如上所述的在光刻胶涂布成膜后的基板干燥方法。
本发明又提供一种低温加热干燥装置,用于对光刻胶涂布成膜后的基板进行低温加热干燥,包括:壳体,其中形成有一个或多个腔体;以及热板,设置在所述腔体中,用以加热放置在所述热板上方的基板,其中,所述腔室中的温度设定为40℃-70℃。
在该低温加热干燥装置中,优选地,所述低温加热干燥装置具有单个或多个腔体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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