[发明专利]基板干燥方法、基板制造方法及其低温加热干燥装置无效
| 申请号： | 201310496961.1 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103578928A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱棋锋;张为腾;龚金金 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;G03F7/38 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;黄艳 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 干燥 方法 制造 及其 低温 加热 装置 | ||
1.一种在光刻胶涂布成膜后的基板干燥方法，其中该基板干燥方法为低温加热干燥，并且包括如下步骤：
在光刻胶涂布成膜后，将涂布有光刻胶的基板输送到低温加热干燥装置的腔体中；
在所述低温加热干燥装置的腔体中，利用低温加热干燥来挥发光刻胶。
2.根据权利要求1所述的基板干燥方法，其中所述低温加热干燥采用的温度为40℃-70℃。
3.根据权利要求1所述的基板干燥方法，其中所述低温加热干燥持续的时间为60秒-120秒。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的基板干燥方法，其中所述低温加热干燥装置具有单个或多个腔体。
5.根据权利要求4所述的基板干燥方法，其中所述低温加热干燥装置具有单个腔体，所述单个腔体中的温度被设定为70℃。
6.根据权利要求4所述的基板干燥方法，其中所述低温加热干燥装置具有两个腔体，沿加工方向位于上游的腔体中的温度被设定为40℃-50℃，并且沿加工方向位于下游的腔体中的温度被设定为70℃。
7.根据权利要求1所述的基板干燥方法，其中该基板干燥方法应用于玻璃基板的黄光工艺生产线中。
8.一种基板制造方法，包括如权利要求1-7中任一项所述的在光刻胶涂布成膜后的基板干燥方法。
9.一种低温加热干燥装置，用于对光刻胶涂布成膜后的基板进行低温加热干燥，包括：
壳体，其中形成有一个或多个腔体；以及
热板，设置在所述腔体中，用以加热放置在所述热板上方的基板，
其中，所述腔室中的温度设定为40℃-70℃。
10.根据权利要求9所述的低温加热干燥装置，其中所述低温加热干燥装置具有单个或多个腔体。
11.根据权利要求10所述的低温加热干燥装置，其中所述低温加热干燥装置具有单个腔体，所述单个腔体中的温度被设定为70℃。
12.根据权利要求10所述的低温加热干燥装置，其中所述低温加热干燥装置具有两个腔体，沿加工方向位于上游的腔体中的温度被设定为40℃-50℃，并且沿加工方向位于下游的腔体中的温度被设定为70℃。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的低温加热干燥装置，其中所述低温加热干燥装置设置有温度调节装置，用以调节腔体内的温度。
14.根据权利要求9-12中任一项所述的低温加热干燥装置，其中所述低温加热干燥装置设置有时间控制装置，用以控制基板在腔体内的停留时间。
15.根据权利要求9-12中任一项所述的低温加热干燥装置，其中所述低温加热干燥装置应用于玻璃基板的黄光工艺生产线中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
