[发明专利]监控电子束扫描仪缺陷检出率的方法

权利要求书

1.一种监控电子束扫描仪缺陷检出率的方法，包括如下步骤：

a)、在CMOS晶圆的第一区域建立至少一测试单元，所述测试单元包括NMOS区和PMOS区；

b)、在所述NMOS区形成多个NMOS阻断缺陷；

c)、以所述电子束扫描仪扫描所述测试单元以检测所述NMOS阻断缺陷，并记录其检出率；

d)、更换下一枚CMOS晶圆，回到所述步骤a)重复进行。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域位于所述CMOS晶圆的切割道，所述步骤a)具体包括：在所述切割道定义出所述测试单元，并在所述测试单元上分别形成P肼、N肼，对所述P肼进行N型掺杂以形成所述NMOS区，对所述N肼进行P型掺杂以形成所述PMOS区。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤b)具体包括步骤：

b1)、在所述测试单元表面沉积一金属硅化物阻挡层；

b2)、对位于所述PMOS区、所述NMOS区的金属硅化物阻挡层进行光刻以去除，保留覆盖于所述P肼区上方的一部金属硅化物阻挡层；

b3)、在所述测试单元表面沉积一介电层；

b4)、光刻所述介质层形成多个PMOS区连接孔和多个NMOS区连接孔，并在所述PMOS区连接孔和NMOS区连接孔中分别填充金属；

其中，所述PMOS区连接孔底端连接所述N肼区，所述NMOS区连接孔底端连接该部金属硅化物阻挡层以形成所述NMOS阻断缺陷。

4.如权利要求3所述所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层材料包括氧化硅和氮化硅。

5.如权利要求1所述所述的方法，其特征在于，所述步骤c)具体包括：所述电子束扫描仪对比第一图像与第二图像上位置相同的区域，确定所述第二图像上平均灰度明显低于所述第一图像上平均灰度的区域为所述NMOS阻断缺陷区域；其中，所述第一图像为所述电子束扫描仪扫描该枚CMOS晶圆上一无缺陷芯片单元所得图像，所述第二图像为所述电子束扫描仪扫描所述测试单元所得图像。

6.如权利要求5所述所述的方法，其特征在于，所述PMOS区连接孔图像灰度远高于所述NMOS区连接孔图像灰度。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述CMOS晶圆为任一在线晶圆，用于制备SRAM器件。