[发明专利]清洁系统和衬底处理工具

说明书

本申请是申请日为2008年7月25日、申请号为200880100971.6、申请人为ASML荷兰有限公司、发明名称为“光刻设备和器件制造方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和／或结构制造中的关键步骤之一。目前，没有可替代的技术看上去能够提供具有类似精度、速度和经济的生产率的期望的图案建构。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小，光刻术成为了使微型的IC或其它器件和／或结构能够在真实的大规模上制造的即便不是最关键的门槛(grating)因素，也是最关键的门槛(gating)因素中的一个。

通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的限制的理论估计：

CD=k1*λNAPS---(1)]]>

其中，λ是所使用的辐射的波长，NA_PS是用于印制图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于工艺的调整因子，也称为瑞利常数，以及CD是被印制的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。

从等式(1)可以得出，可以以三种方式实现减小特征的最小可印制尺寸：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA_PS或通过减小k₁的值。

为了显著地缩短曝光波长，并因此使最小可印制的节距减小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。与配置用于输出大于约193nm的辐射波长的传统的紫外辐射源相比，EUV辐射源被配置以输出约13nm的辐射波长。因此，EUV辐射源可以构成迈向获得小的特征印刷的非常重要的一步。这样的辐射用术语极紫外或软x射线来表示，可能的源例如包括激光诱导等离子体源、放电等离子体源或来自电子储存环的同步加速器辐射。

期望改善EUV光刻设备的生产率以减小所述设备的拥有成本。许多因素可能影响EUV系统的生产率。

发明内容

期望在EUV光刻设备中移除污染物。污染物的移除改善了设备的可利用性。

在本发明的一个方面中，提供了一种光刻设备，该光刻设备包括：照射系统，该照射系统被配置以调节辐射束；图案支撑件，该图案支撑件被配置以保持图案形成装置，所述图案形成装置被配置以对所述辐射束进行图案化，以形成图案化的辐射束；衬底保持件，该衬底保持件被配置以保持衬底，所述衬底保持件包括与所述衬底接触的支撑表面；投影系统，该投影系统被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上；和清洁系统，该清洁系统包括清洁单元，所述清洁单元被构造和布置以在所述衬底保持件的所述支撑表面上产生基团，用于从其上移除污染物。

在本发明的一个方面中，提供了一种器件制造方法，该方法包括：调节辐射束；使所述辐射束具有图案以形成图案化的辐射束；将所述图案化的辐射束投影到衬底上，所述衬底由衬底保持件的支撑表面支撑；和在所述衬底保持件的所述支撑表面上产生基团，以从其上移除污染物。