[发明专利]一种湿蚀刻设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，且特别涉及一种湿蚀刻设备。

背景技术

近年来，使用有机电致发光(Electro Luminescence：以下称“有机EL”)组件的有机EL显示装置，已取代CRT及LCD的显示装置而受到嘱目，正研究开发一种具备例如用以驱动该有机EL组件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下称“TFT”)的有机EL显示装置。

有机EL组件被依序层积形成：由ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡)等的透明电极所形成的阳极；由MTDATA(4，4-双(3-甲基苯基苯氨基)联苯)等第1空穴输送层、TPD(4，4，4-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺)等第2空穴输送层所构成的空穴输送层；包含啶酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯弁[h]轻基喹啉-铍络合物(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex))所形成的发光层；由Bebq2所形成的电子输送层；及由铝合金所形成的阴极的构造。

如上所述的有机EL组件通过用以驱动该有机EL组件的驱动用TFT供给电流而发光。即，从阳极所注入的空穴与从阴极所注入的电子在发光层内部再结合，激发用以形成发光层的有机分子而产生激发子(exdton)。在该激发子放射失活的过程中由发光层发光，该光会从透明的阳极经由透明的阳极及玻璃基板等绝缘性基板放出至外部而进行发光。

TFT-LED的制造工艺包括以下几部分：TFT-LED阵列基板制成；在彩色滤光片基板上形成彩色滤光图案及IT0导电层；用两块基板形成液晶盒；安装外围电路、组装背光源等的模块组装。而TFT-LED阵列基板制成又大体分为成膜、光刻、刻蚀三大工艺。刻蚀工艺包括湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻蚀是通过对对象材料(一般为金属导电膜)与药液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀；干法刻蚀主要是指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用进行刻蚀。经过刻蚀工艺，光刻工程显影后没有被光阻覆盖的膜层部分去除，形成最终需要的线路图形。

目前，在TFT-LED阵列基板制成中，湿法刻蚀用来对基板金属层进行刻蚀。图1示出了根据现有技术的湿蚀刻设备的结构示意图。具体地，如图1所示，所述湿蚀刻设备包括机台100以及连接管路200。其中，机台100中装有药液，对放置于机台100内的半导体器件进行蚀刻。连接管路200连接于机台100的底部，对机台100传送药液。更具体地，连接管路200包括：取液管道210、液位槽220以及液位传感器230。取液管道210与机台100的底部连通。液位槽220连接于取液管道210上，将取液管道210分为上下连通的第一管路211以及第二管路212。其中，第一管路211位于第二管路212的上方，且液位槽220与第一管路211以及第二管路212均互相连通。当机台100需要补充药液时，药液从外部补充，通过第二管路212(图中虚线处省略了药液入口)进入取液管道210后分流，分别流向第一管路211以及液位槽220。液位传感器230则连接于液位槽220的外侧，以检测液位槽220的液面高度。

按照目前大部分的机台100设计中，在液位槽220中液位传感器对液位槽的感应可分为HH、H、M、L和LL五个感应等级，正常而且普遍的工作状态中，液位通常处于L、M和H三个等级中。液位槽220中的液位在正常跑片中的影响非常重要，当液位槽220中的即时液位到达对应的液位时，传感器侦测到该液位，将会发出对应的警报，而如果有类似气泡或其他不明物质进入到管路中，将会导致液位槽220中的液位与机台100中的液位高度不同，即机台100中的液位低于液位槽220中的液位，导致液位传感器230发出错误的警报。进而发生过渡蚀刻、产品出现叠片等问题。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种湿蚀刻设备。