[发明专利]一种电极加热极及其加工工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片电极，尤其涉及一种电极加热极及其加工工艺。

背景技术

目前芯片的电极层通常是在基材表面覆上一层薄膜状的电极层，然后采用刻蚀的方式去除多余的电极层，形成最终所需线路的电极层。

薄膜淀积是芯片加工过程中常用的一种加工方式，通过淀积工艺可以在基材上生长导各种导电薄膜层、绝缘薄膜层或者半导体薄膜层。电极层之所以非常薄是因为厚度薄可以有非常均匀的电阻温度系数，介电常数低，这样能让信号传输损失更小，薄的电极层通过大电流情况下温升较小，这对于散热和元件寿命都是有很大好处的。然后即是需要将淀积成的整块电极层刻蚀成所需的线路。将芯片的线路设计用光刻机印成胶片，然后把一种主要成分对特定光谱敏感而发生化学反应的感光干膜覆盖在基板上，干膜分两种，光聚合型和光分解型，光聚合型干膜在特定光谱的光照射下会硬化，从水溶性物质变成水不溶性而光分解型则正好相反。用光聚合型感光干膜先盖在基板上，上面再盖一层线路胶片让其曝光，曝光的地方呈黑色不透光，反之则是透明的（线路部分）。光线通过胶片照射到感光干膜上，凡是胶片上透明通光的地方干膜颜色变深开始硬化，紧紧包裹住基板表面的电极层，就像把线路图印在基板上一样，接下来经过显影步骤(使用碳酸钠溶液洗去未硬化干膜)，让不需要干膜保护的电极层露出来，这称作脱膜工序。

然后则是需要采用刻蚀的方式去除无用的电极层部分，目前常用的刻蚀方式为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。干法刻蚀的各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。

在光分路器器件中，基材上覆有两层薄膜，电极层和加热极层，电极层和加热极层采用不同材质的金属制成，传统的方式为先在基材上淀积一层加热层，再在其上淀积一层电极层，然后再对电极层实施刻蚀形成所需的导电线路。在刻蚀电极层时，由于金属材质的刻蚀速率相近，并且电极层和加热极层相邻，因此加热极也会被刻蚀，电极层和加热极层厚度极薄，控制刻蚀精度的难度过大，一旦控制不好，会造成加热极被刻蚀，造成损伤，严重影响器件性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题和提出的技术任务是对现有技术进行改进，提供一种电极加热极及其加工工艺，解决目前技术中电极层刻蚀精度控制难度过大，极易造成加热极层被刻蚀，严重影响器件性能的问题。

为解决以上技术问题，本发明的技术方案是：

一种电极加热极，包括基材、加热极层、隔离层和电极层，其特征在于，加热极层通过淀积方式覆在基材上，加热极层上还淀积有隔离层，电极层通过淀积方式包覆在加热极层和隔离层上，隔离层上部的电极层通过刻蚀去除。加热极层的上方有隔离层保护，在进行电极层刻蚀时可确保加热极层不受刻蚀，确保其完整性，从而保证了产品加热极的性能，并且电极层以及加热极层的电气性能也不会受到影响，可安全正常的实现电气及加热功能。

进一步的，所述的隔离层采用二氧化硅制成，二氧化硅的刻蚀速率与金属的刻蚀速率差异较大，在进行金属电极层刻蚀时隔离层二氧化硅不会被快速刻蚀，从而将加热极层与外界隔绝，从而起到良好的保护效果，确保加热极层的完整性。

进一步的，所述的隔离层的淀积厚度为2000～30000埃，在确保达到隔离保护加热极层效果上尽量降低隔离层的淀积厚度，减少产品的制作成本。

制作电极加热极的加工工艺，包括如下步骤：薄膜淀积和刻蚀，其特征在于，在基材上淀积一层加热极层，然后在加热极层刻蚀成所需线路图样后再在加热极层淀积一层二氧化硅隔离层，然后进行隔离层刻蚀，去除包覆在加热极层两侧边处的隔离层使隔离层只覆盖于加热极层的顶面，在进行隔离层刻蚀时，由于二氧化硅刻蚀气体基本不刻蚀金属材质，刻蚀二氧化硅后，加热极保持完整，在此基础上再淀积电极层，通过刻蚀去除隔离层顶面的电极层形成所需的线路。在进行电极层刻蚀时，由于隔离层二氧化硅的保护，加热极不会受到损伤，从而极大的降低了刻蚀控制难度，降低了控制精确刻蚀时间的难度，使生产简易化，并且提高产品加热极的性能。