[发明专利]电流收集层结构有效

专利信息
申请号: 201310489220.0 申请日: 2013-10-18
公开(公告)号: CN104425051A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 吴以舜;谢承佑;郑叡骏;谢淑玲;陈静茹 申请(专利权)人: 安炬科技股份有限公司
主分类号: H01B1/04 分类号: H01B1/04;H01B1/02;H01B5/00
代理公司: 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人: 刘俊
地址: 中国台湾宜*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电流 收集 结构
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种电流收集层结构,尤其是包含石墨烯导电层。

背景技术

单层石墨,又称为石墨烯(graphene),是一种由单层碳原子以石墨键(sp2)紧密堆积成二维蜂窝状的晶格结构,因此仅有一个碳原子的厚度,石墨键为共价键与金属键的复合键,可说是绝缘体与导电体的天作之合。2004年英国曼彻斯特大学Andre Geim与Konstantin Novoselov成功利用胶带剥离石墨的方式,证实可得到单层的石墨烯,并获得2010年的诺贝尔物理奖。

石墨烯是目前世界上最薄也是最坚硬的材料,导热系数高于纳米碳管与金刚石,常温下其电子迁移率亦比纳米碳管或硅晶体高,电阻率比铜或银更低,是目前世界上电阻率最小的材料,这些独特的电荷机械性质使得加入石墨烯的复合材料更多功能化,不但表现出优异的力学及电学性能,还具有优良的加工性能,为复合材料提供了更广阔的应用领域。但是结构完整的石墨烯是由不含任何不稳定键的苯六元环组合而成的二维晶体,化学稳定性高,其表面呈惰性状态,与其它介质(如溶剂等)相互作用较弱,且石墨烯的片与片之间存在较强的范德华力,容易产生团聚,使其难溶于水以及其它常用的有机溶剂,更难与其它材料掺混形成复合材料,因而大大限制了石墨烯的进一步研究与应用,过去多以其它石墨类或碳类材料作为复合材料应用。

美国专利US20120237782揭露一种碳涂布层铝箔片的制备方法,将碳原子以电浆的方式沉积于金属铝箔之上,此碳涂布层使得铝箔片的机械显著的增加,另外用于电容器上,电子导电度以及功率密度有所改善。

美国专利US20130171517揭露一种石墨烯涂布层于金属箔片的制备方法,将1~10层厚的石磨烯分散于具有挥发性的溶剂中,如:有机溶剂或水,形成0.05wt%~5wt%的石墨烯浆料,其石墨烯薄膜以含浸方式涂布于金属箔片上,其涂布厚度为0.8μm~5μm,再放置室温或加热方式干燥此石墨烯电流收集层。由于石墨材料与金属材料先天差异极大,亲合性不佳,因此石墨烯对于金属箔片的附着性较差,两者的界面反而会形成电阻层,再者以含浸方式制备其石墨烯电流收集层,对于涂布的厚度,其均一性较难调控。因此,此专利在制备石墨烯涂布层金属箔片上,其具有实行的困难性。

因此,应用石墨烯特有的导电性能来取代一般的碳涂布层,进而应用于现有的电化学产品上,实质上需要解决的问题在于各材料之间的亲合与接着特性,才能发挥石墨烯预期的效果。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种电流收集层结构,该电流收集层结构包含金属箔基层及石墨烯导电层,石墨烯导电层厚度为2μm~5μm,且电阻值小于1Ω·cm;石墨烯导电层包含多个石墨烯片,以及一高分子黏结剂,该高分子黏结剂用以将所述石墨烯片粘着于该金属箔基层之上,并且将所述石墨烯片相互黏接,且该高分子黏结剂占石墨烯导电层的重量百分比0.01wt%至10wt%。

本发明藉由高分子黏结剂的添加,使石墨烯片与金属箔片之间连接,并增加石墨烯片堆栈区块间的连接,增加了整体电流收集层结构的附着强度,形成完整的导电网络,且该高分子黏着剂与电化学元件内活性物质的黏结剂完全兼容,使电化学元件的活性物质与石墨烯导电层紧密结合,将两者的接触电阻降至最低,大幅提升电化学元件性能,从而能将本发明的电流收集层结构应用于各种电池、电容器中。

附图说明

图1为本发明的电流收集层结构的剖面示意图。

其中,附图标记说明如下:

1  电流收集层结构

10 金属箔基层

20 石墨烯导电层

具体实施方式

以下配合图式及元件符号对本发明的实施方式做更详细的说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。

参阅图1,为本发明电流收集层结构的剖面示意图。如图1所示,本发明的电流收集层结构1包含一金属箔基层10及一石墨烯导电层20,该金属箔基层选自铝箔、铜箔、钛箔、镍箔中的任一种。石墨烯导电层20设置在该金属箔基层10的至少一表面上,厚度为0.1μm~5μm,且电阻值小于1Ω·cm;石墨烯导电层20包含多个石墨烯片,以及一高分子黏结剂,该高分子黏结剂用以将所述石墨烯片粘着于该金属箔基层10之上,并且将所述石墨烯片相互黏接,且该高分子黏结剂与石墨烯导电层20的重量百分比为0.01wt%至10wt%。

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