[发明专利]多晶硅还原炉用绝缘磁环及其制作方法

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

按照如下质量百分比称取各组分：20%～30%的纯水、20%～30%的熔融石英砂块料以及40%～60%的4～20目熔融石英砂颗粒，加入分散剂将各组分混合后进行球磨处理，制备中值粒径为7.0～12.0μm、含水量为15%～25%的原浆，其中，所述分散剂的用量为15～30g/1000kg原浆；

在30～40℃的环境下对所述原浆进行均化陈腐处理，均化陈腐过程中保持对原浆进行持续搅拌，以得到具有如下指标的均化陈腐后的原浆：含水量16%～21%、浆料黏度不大于200cP及pH 5～6；

在30～40℃的环境下，称取质量百分比50%～80%的均化陈腐后的原浆、15%～35%的50～100目熔融石英砂颗粒以及5%～25%的100～200目或120F熔融石英砂粉末混合后进行球磨处理，再加入粘结剂溶液，混匀后制备密度不小于1.8g/cm³、黏度为1500～2500cP、含水量11%～13%、流动性为75～125mm/30s的浇注浆料，其中所述粘结剂溶液中粘结剂与水的质量比为0.5～4:100，粘结剂溶液的加入量为2～4L/1000kg浇注浆料；

以20～30mL/1000kg浇注浆料的比例向所述浇注浆料中加入消泡剂，并对加入消泡剂的所述浇注浆料进行抽真空处理；

在湿度为40%～60%、温度为25～35℃的环境中，将抽真空处理后的浇注浆料浇注进注浆模具中，待所述浇注浆料成型后，进行脱模操作，得到绝缘磁环坯体；

将所述绝缘磁环坯体依次进行烘干、烧结及抛光处理，得到所述多晶硅还原炉用绝缘磁环。

2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，所述分散剂为聚乙烯二醇硬脂肪酸酯、醇类化合物、聚丙烯烯酸盐酯或聚甲基苯烯酸盐。

3.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，所述粘结剂为羧甲基纤维素或木质素磺酸钠。

4.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，所述消泡剂为正辛醇或聚醚多元醇。

5.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，所述均化陈腐处理的时间为5～7天。

6.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，将均化陈腐后的原浆、50～100目熔融石英砂颗粒以及120F熔融石英砂粉末混合后的球磨处理过程是使用行星球磨机进行球磨处理30分钟，再加入粘结剂搅拌5～10分钟混匀。

7.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，所述将浇注浆料浇注进注浆模具过程中使用加压浇注法，浇注过程中对浇注浆料施加高度差不小于0.3m的作用压力。

8.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，所述抛光处理包括先用粗磨刀进行粗抛处理，再对粗抛处理后得到的产品使用细磨刀进行精抛处理。

9.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用绝缘磁环的制作方法，其特征在于，还包括在抛光处理后得到的绝缘磁环上涂布显影液，在光照下进行内部缺陷检测，将有内部缺陷的产品去除，并将内部缺陷检测合格的产品清洗、烘干后进行耐电压测试，得到产品的最大耐压参数，以得到符合要求的多晶硅还原炉用绝缘磁环。

10.一种使用如权利要求1-9中任一项所述的制作方法制作得到的多晶硅还原炉用绝缘磁环。