[发明专利]地址转变信号探测电路

说明书

技术领域

本发明涉及异步电路系统，尤其涉及一种地址信号转变探测电路。

背景技术

在异步电路系统中特别是SRAM存储器的操作中，当地址线上有变化时意味着要开始一个新的读或写得周期。虽然SRAM没有外部时钟也不需要额外的时序和控制信号，其存储器的操作由地址总线上的事件或R/W信号来启动。但这样则意味着所有电路（如译码器和灵敏放大器）都是完全静态实现的，因此其中一个输入信号上的变化（数据或地址总线，R/W）都会主次通过后续的电路层次。所以这样一个全静态的方法无论从面积还是功耗的角度考虑对于较大容量的存储器都是不可行的。因此还需要产生一个类似的时钟信号来触发内部的一些电路做好读写的准备工作。

地址转变检测电路ATD就是一种用来检测地址线上的变化，并产生一个脉冲信号用于内部电路，该脉冲信号的宽度是一个重要的参数。太宽的脉冲会导致地址译码已经完成了，字线已经准备接通，而位线的预充电还没有结束，这直接导致了读写的延迟。太窄的脉冲会导致位线充电不充分，导致读周期的延迟；在脉冲字线的情况下可能导致读的失败。

因此ATD电路在SRAM以及PROM模块的结构中起着重要的作用，它是大多数时序信号的来源并且是整个关键时序路径的一部分。

如图1是现有技术中常用的一种地址转变探测电路，虽然这种传统的地址转变检测电路可以在一顶程度上达到所需，但是在地址转变的探测的过程中使得地址信号变弱，从而在很大的程度上输出的地址信号较弱，同时也使得地址信号变弱，不利于后续电路使用，即使将探测的地址转变信号进行放大，也会对后续电路造成影响。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种既能输出有效地址转变信号、又能对输出地址信号放大的地址转变信号探测电路。

为了解决以上技术问题，本发明提供一种地址信号转变探测电路，其中，包括一延迟放大电路，所述延迟电路对输入的地址信号进行延迟反相输出，同时对输入的地址信号进行放大输出。

优选的，所述延迟放大电路包括地址信号延迟器和地址信号放大器。

优选的，所述延迟放大电路还包括启动电路。

优选的，所述启动电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M6和晶体管M8，所述晶体管M1和晶体管M2组成反相器；

所述晶体管M1的门极与所述晶体管M2的门极共同电连接后接电源地，所述晶体管M1的发射极接电源，所述晶体管M2的发射极接电源地，所述所述晶体管M1的集电极与所述晶体管M2的集电极电连接作为所述反相器的输出端；

所述反相器的输出端分别电连接所述晶体管M6的门极和晶体管M8的门极，所述晶体管M6的发射极和晶体管M8的发射极接电源地，所述晶体管M6的集电极和晶体管M8的集电极电连接所述延迟器；

所述晶体管M3的门极连接电源地，所述晶体管M3的发射极接电源，所述晶体管M3的集电极电连接所述延迟器。

优选的，所述延迟器包括晶体管M4、晶体管M5和晶体管M7，所述晶体管M4的门极、所述晶体管M5的门极和所述晶体管M7的门极同时电连接作为延迟器的输入端接收输入地址信号，所述晶体管M4的集电极、所述晶体管M5的集电极和所述晶体管M7的集电极同时电连接作为延迟器的输出端，所述晶体管M4的发射极点连接所述晶体管M3的集电极，所述晶体管M5的发射极电连接所述晶体管M6的集电极，所述晶体管M7的发射极电连接所述晶体管M8的集电极。

优选的，所述地址信号放大器包括：

反相放大器，将弱“0”信号反相放大输出强“1”信号，或者将弱“1”信号反相放大输出强“0”信号，用于将延迟后的地址信号反相放大。

第一反相器，接收延迟放大的地址信号，并输出与输入地址信号对应的延迟反相地址信号；

第二反相器，接收第一反相器输出的反相地址信号，并输出与输入地址信号对应的延迟同相地址信号。

优选的，所述反相放大器包括晶体管M9、晶体管M10、晶体管M11和晶体管M12；

所述晶体管M9的发射极电连接电源，所述晶体管M9的集电极电连接所述延迟器的输出端，所述晶体管M9的门极、所述晶体管M10的门极、所述晶体管M11的集电极以及所述晶体管M12的集电极电连接后作为所述反相放大器的输出端；

所述晶体管M10的发射极电连接电源地，所述晶体管M10的集电极电连接所述延迟器的输出端；

所述晶体管M11的发射极电连接电源，所述晶体管M11的门极电连接所述延迟器的输出端；