[发明专利]地址转变信号探测电路有效

专利信息
申请号: 201310482867.0 申请日: 2013-10-15
公开(公告)号: CN103514934B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 刘鑫;赵发展;韩郑生 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00;G11C11/413;G11C17/18
代理公司: 北京华沛德权律师事务所11302 代理人: 刘杰
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 地址 转变 信号 探测 电路
【权利要求书】:

1.地址转变信号探测电路,其特征在于,包括一延迟放大电路,所述延迟电路对输入的地址信号进行延迟反相输出,同时对输入的地址信号进行放大输出。

2.根据权利要求1所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述延迟放大电路包括地址信号延迟器和地址信号放大器。

3.根据权利要求2所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述延迟放大电路还包括启动电路。

4.根据权利要求3所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述启动电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M6和晶体管M8,所述晶体管M1和晶体管M2组成反相器;

所述晶体管M1的门极与所述晶体管M2的门极共同电连接后接电源地,所述晶体管M1的发射极接电源,所述晶体管M2的发射极接电源地,所述所述晶体管M1的集电极与所述晶体管M2的集电极电连接作为所述反相器的输出端;

所述反相器的输出端分别电连接所述晶体管M6的门极和晶体管M8的门极,所述晶体管M6的发射极和晶体管M8的发射极接电源地,所述晶体管M6的集电极和晶体管M8的集电极电连接所述延迟器;

所述晶体管M3的门极连接电源地,所述晶体管M3的发射极接电源,所述晶体管M3的集电极电连接所述延迟器。

5.根据权利要求3所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述延迟器包括晶体管M4、晶体管M5和晶体管M7,所述晶体管M4的门极、所述晶体管M5的门极和所述晶体管M7的门极同时电连接作为延迟器的输入端接收输入地址信号,所述晶体管M4的集电极、所述晶体管M5的集电极和所述晶体管M7的集电极同时电连接作为延迟器的输出端,所述晶体管M4的发射极点连接所述晶体管M3的集电极,所述晶体管M5的发射极电连接所述晶体管M6的集电极,所述晶体管M7的发射极电连接所述晶体管M8的集电极。

6.根据权利要求3所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述地址信号放大器包括:

反相放大器,将弱“0”信号反相放大输出强“1”信号,或者将弱“1”信号反相放大输出强“0”信号,用于将延迟后的地址信号反相放大。

第一反相器,接收延迟放大的地址信号,并输出与输入地址信号对应的延迟反相地址信号;

第二反相器,接收第一反相器输出的反相地址信号,并输出与输入地址信号对应的延迟同相地址信号。

7.根据权利要求6所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述反相放大器包括晶体管M9、晶体管M10、晶体管M11和晶体管M12;

所述晶体管M9的发射极电连接电源,所述晶体管M9的集电极电连接所述延迟器的输出端,所述晶体管M9的门极、所述晶体管M10的门极、所述晶体管M11的集电极以及所述晶体管M12的集电极电连接后作为所述反相放大器的输出端;

所述晶体管M10的发射极电连接电源地,所述晶体管M10的集电极电连接所述延迟器的输出端;

所述晶体管M11的发射极电连接电源,所述晶体管M11的门极电连接所述延迟器的输出端;

所述晶体管M12的发射极电连接电源地,所述晶体管M12的门极电连接所述延迟器的输出端。

8.根据权利要求6所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述第一反相器包括晶体管M13和晶体管M14,所述晶体管M13的门极和晶体管M14的门极电连接作为所述第一反相器的输入端,所述晶体管M13的发射极接电源,所述晶体管M14的发射极接电源地,所述晶体管M13的集电极和晶体管M14的集电极电连接后作为第一反相器的输出端。

9.根据权利要求6所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述第二反相器包括晶体管M15和晶体管M16,所述晶体管M15的门极和晶体管M16的门极电连接作为所述第二反相器的输入端,所述晶体管M15的发射极接电源,所述晶体管M16的发射极接电源地,所述晶体管M15的集电极和晶体管M16的集电极电连接后作为第二反相器的输出端。

10.根据权利要求1所述的地址转变信号探测电路,其特征在于,所述地址信号转变探测电路还包括异或门,所述异或门一端接收输入地址信号,所述异或门的另一端接收由延迟放大电路输出的延迟反相地址信号,并输出地址转变信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310482867.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top