[发明专利]集成电路及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201310482109.9 申请日: 2013-10-16
公开(公告)号: CN104576595A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 叶腾豪;吕函庭;施彦豪;谢志昌;胡志玮 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 集成电路 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路,包括:

一叠层结构,包括一导电条纹;以及

一导电结构,位于该叠层结构上方,并电性连接至该导电条纹,其中该导电结构与该导电条纹在不同组的对应点之间根据基轴具有不同的间隙距离。

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中该导电结构与该导电条纹的延伸方向互不平行。

3.根据权利要求1所述的集成电路,其中该导电结构包括:

多个导电线;以及

一导电板,配置在这些导电线之间,其中该导电板与这些导电线互相分开且皆配置在同一阶层。

4.根据权利要求1所述的集成电路,其中该导电结构包括一导电板,该导电板与该导电条纹在不同组的对应点之间根据基轴具有不同的间隙距离。

5.根据权利要求1所述的集成电路,包括多个该叠层结构,各包括互相分开的多个该导电条纹,其中该导电结构包括一导电板,电性连接至不同个这些叠层结构的相同阶层的这些导电条纹,并同时电性连接至各这些叠层结构的不同阶层的这些导电条纹。

6.根据权利要求1所述的集成电路,其中该导电结构包括一导电线,该导电线与该导电条纹在不同组的对应点之间根据基轴具有不同的间隙距离。

7.根据权利要求1所述的集成电路,包括多个该叠层结构,各包括互相分开的多个该导电条纹,其中该导电结构包括一导电线,电性连接至不同个这些叠层结构的相同阶层的这些导电条纹。

8.根据权利要求1所述的集成电路,包括一三维存储器叠层,该三维存储器叠层包括:

该叠层结构;

一介电层;

一接地选择线(GSL);

一共同源极线(common source line,CSL);以及

一串接选择线,配置在该叠层结构的侧壁上,并通过该介电层分开于该叠层结构的该导电条纹,

其中该接地选择线通过该介电层电性绝缘于该叠层结构的该导电条纹,其中该接地选择线与该导电条纹彼此交错,该接地选择线与该共同源极线互相短接,该串接选择线与该导电条纹互相短接。

9.一种集成电路的操作方法,其中该集成电路包括:

一三维存储器叠层,包括邻近的一虚置部分与一存储器部分,该虚置部分及该存储器部分均包括:

一叠层结构,包括一导电条纹;

一介电层;

一第一导电层,通过该介电层电性绝缘于该导电条纹;以及

一第二导电层;以及

一导电结构,其中该导电条纹的相对末端被分别电性连接至该第二导电层与该导电结构,该第一导电层被配置在该导电条纹的这些相对末端之间;

该操作方法包括:

提供一第一电压至该虚置部分的该导电结构;以及

提供一第二电压至该虚置部分的该第二导电层,其中该第一电压等于该第二电压。

10.根据权利要求9所述的集成电路的操作方法,更包括编程、读取及擦除该三维存储器叠层的该存储器部分,其中在该编程、该读取与该擦除的过程中,该第一电压等于该第二电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310482109.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top