[发明专利]图案化膜层的制造方法以及电致变色装置的制造方法有效
申请号: | 201310481928.1 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103676392A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 涂峻豪;詹仁宏;谢昊伦;龚国森;林亭均;曾任培 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/15 | 分类号: | G02F1/15;G02F1/153 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 化膜层 制造 方法 以及 变色 装置 | ||
1.一种图案化膜层的制造方法,其特征在于,包含:
提供一基材,其中该基材具有一第一面以及相对于该第一面的一第二面;
提供一材料源,该第一面朝向该材料源,且该材料源用以提供多个带电粒子;
提供一磁性元件,其中该第二面设置于该磁性元件以及该第一面之间;以及
借由该磁性元件,以将该些带电粒子沉积于该第一面上,而形成一图案化膜层。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该些带电粒子在该第一面上的至少二区域形成不同的膜层厚度,以形成该图案化膜层。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该磁性元件包含一第一磁元件及一第二磁元件,且该第一磁元件的磁矩方向不同于该第二磁元件的磁矩方向。
4.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,该第一磁元件的磁矩方向与该第二磁元件的磁矩方向相反。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该磁性元件在该第一面上形成一磁场,该磁场的分布相对于该基材的位置维持恒定。
6.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该磁性元件在该第一面上形成一磁场,该些带电粒子借由该磁场于该第一面上形成具有凹陷部的该图案化膜层。
7.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该磁性元件包含多个第一磁元件及多个第二磁元件,该些第一磁元件与该些第二磁元件交替设置,而各该第一磁元件的磁矩方向平行一第一方向,各该第二磁元件的磁矩方向平行一第二方向,且该第一方向与该第二方向相反。
8.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该磁性元件固定于该基板的该第二面上。
9.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,更包含将该基材设置于一反应腔室中,该反应腔室配置有该材料源,且该材料源与该磁性元件分别位于基材的相对两侧。
10.一种电致变色装置的制造方法,其特征在于,包含:
提供一第一基材,并且形成一第一导电层于该第一基材上;
提供一第二基材,并且形成一第二导电层于该第二基材上;
于该第一导电层与该第二导电层之间形成一电致变色层与一电解质层;其中
形成该第一导电层、该第二导电层、该电致变色层及该电解质层的其中至少一者包含以下步骤:
提供一材料源,该材料源用以提供多个带电粒子;
将该第一基材的一第一面朝向该材料源;
提供一磁性元件,其中该磁性元件与该材料源分别位于该第一基材的相对两侧;
借由该磁性元件,以将该些带电粒子沉积于该第一面上,借以形成该第一导电层、该第二导电层、该电解质层或该电致变色层。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,形成该电解质层的步骤包含依序形成一离子储存层以及一固态电解质层。
12.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,该电致变色层包含氧化钨、氧化镍、氧化钒、氧化铜、普鲁士蓝、聚苯胺、二茂铁、氧化钼、氧化铌、氧化钛、氧化铱、氧化铟锡或上述的组合。
13.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,该些带电粒子在该第一面上的至少二区域形成不同的膜层厚度。
14.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,该磁性元件包含一第一磁元件及一第二磁元件,且该第一磁元件的磁矩方向不同于该第二磁元件的磁矩方向。
15.根据权利要求14所述的制造方法,其特征在于,该第一磁元件的磁矩方向与该第二磁元件的磁矩方向相反。
16.根据权利要求14所述的制造方法,其特征在于,该第一磁元件对应该第一面的第一区域,该第二磁元件对应该第一面的第二区域,以及该第一区域与该第二区域沉积不同的膜层厚度。
17.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,该磁性元件在该第一面上形成一磁场,该磁场的分布相对于该基材的位置维持恒定。
18.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,该磁性元件包含多个第一磁元件及多个第二磁元件,该些第一磁元件与该些第一磁元件交替设置,各该第一磁元件的磁矩方向平行一第一方向,各该第二磁元件的磁矩方向平行一第二方向,且该第二方向与该第二方向相反。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310481928.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。