[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的薄膜晶体管和公共电极线，所述薄膜晶体管包括依次设置在衬底基板上的有源层、栅电极和源漏电极，其特征在于；

所述公共电极线与所述栅电极同层设置，且所述公共电极线具有第一过孔；

所述源漏电极中的漏电极贯穿所述第一过孔与所述有源层电性连接，且所述漏电极与所述公共电极线相互绝缘；

所述公共电极线在所述衬底基板的正投影与所述漏电极在所述衬底基板的正投影至少部分重叠。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述公共电极线与所述有源层之间的栅极绝缘层；

位于所述公共电极线与所述源漏电极之间的层间介电层；

所述源漏电极中的漏电极通过贯穿所述栅极绝缘层、所述公共电极线和所述层间介电层的第二过孔与所述有源层电性连接；

所述源漏电极中的源电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介电层的第三过孔与所述有源层电性连接。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影至少部分重叠。

4.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述源漏电极上方的像素电极，所述像素电极与所述源漏电极中的漏电极电性连接。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述像素电极上方的公共电极，以及位于所述公共电极与所述像素电极之间的钝化层。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述像素电极与所述源漏电极之间的平坦化层，所述像素电极通过贯穿所述平坦化层的第四过孔与所述源漏电极中的漏电极电性连接。

7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述像素电极与所述源漏电极之间的公共电极，以及位于所述像素电极与所述公共电极之间的钝化层。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述公共电极与所述源漏电极之间的平坦化层，所述像素电极通过贯穿所述平坦化层的第五过孔和贯穿所述钝化层的第六过孔与所述源漏电极中的漏电极电性连接。

9.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述有源层与所述衬底基板之间的缓冲层。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。

11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成有源层的图形；

通过一次构图工艺在所述有源层的上方形成分别与所述有源层相互绝缘的栅电极和公共电极线的图形，所述公共电极线具有第一过孔；

在所述公共电极线的上方形成与所述公共电极线相互绝缘的源漏电极的图形，所述源漏电极中的漏电极通过贯穿所述第一过孔与所述有源层电性连接，所述漏电极在所述衬底基板的正投影与所述公共电极线在所述衬底基板的正投影至少部分重叠。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述公共电极线的上方形成与所述公共电极线相互绝缘的源漏电极的图形之后，还包括：

在所述源漏电极的上方形成像素电极的图形，所述像素电极与所述源漏电极中的漏电极电性连接。

13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏电极的上方形成像素电极的图形之后，还包括：

在所述像素电极的上方形成与所述像素电极相互绝缘的公共电极的图形。

14.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在所述公共电极线的上方形成与所述公共电极线相互绝缘的源漏电极的图形之后，在所述源漏电极的上方形成像素电极的图形之前，还包括：

在所述源漏电极的上方形成与将要形成的像素电极相互绝缘的公共电极的图形。

15.如权利要求11-14任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成有源层的图形之前，还包括：

在所述衬底基板上形成缓冲层。