[发明专利]一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法

说明书

技术领域

本发明涉及樱桃栽培领域，特别涉及大樱桃吉塞拉快速繁育方法。

背景技术

大樱桃原产于欧洲，为优良的乔木水果果树品种，因大樱桃具有果实成熟期早、果粒大、色泽绚丽、口感好、经济效益高等诸多特点，而且营养物种丰富，保健功能强，深受消费者喜爱。中国属引种栽培国家，发展速度很快。同时大樱桃又是嫁接栽培的果树品种，生产栽培过程中，砧木品种选用十分重要。因为砧木决定树势、树龄、抗性、适应性，也影响丰产性能、果实品质和花果时间等。针对不能用种子繁殖的多倍体植物，目前采用常规扦插繁殖的缺点主要表现为：

1、技术不稳定。

2、扦插的材料来源少，材料不能达到理想的繁育目的。

3、繁殖技术为常规方法，不能与现代先进的科学技术接轨。

繁殖速度慢，不能满足产业化发展的需要。

“吉塞拉”是由德国育成的三倍体优良矮化砧木品种。具有使树体矮化开张、早花早果、早熟和丰产、稳产、抗旱、抗寒、固地性好，对土壤适应范围广等诸多优点。在目前，中国大樱桃产业化大发展的背景下，良种砧木远跟不上生产需要，市场苗木极为混乱，不良砧木品种会给产业持续发展带来许多负面效应，到目前许多地区已经出现了树体不健康(病害严重)、死树、不结果或果实品质差等现象，而且良种繁育技术不够先进，

综上，之前生产中砧木繁殖多以种子繁殖求得效益和速度，对砧木质量的重要问题重视不够，所以砧木品种不优、混乱。吉塞拉是大樱桃的优良砧木品种，但为3倍体生物，没有种子，所以大量快速繁殖有难度。有扦插繁殖技术应用，但繁殖速度较慢，远不能满足生产需要。

发明内容

为解决上述现有技术存在的问题，本发明提出一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，通过实验室克隆技术与大棚训练方法技术结合，繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上，技术先进，节省时间，一年可繁育10——100万株生产苗木，有很高的推广价值和应用价值。

为达到上述目的，本发明的技术方案为：

一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，包括如下步骤：

1)、外植体获取及脱毒

外植体要通过材料脱毒、杀菌消毒后获取无菌茎尖；

2)、外植体诱导培养

外植体诱导培养基：MS+6-BA0.5mg／L+ZT0.4mg／L+IBA0.1mg／L，对“吉塞拉”外植体诱导培养30d，获得新生芽体。

3)、丛生芽增殖培养

选择用MS为基本培养基，用4种激素6-BA(6-苄氨基嘌呤)、ZT(玉米素)、KT(激动素)、IBA(吲哚丁酸)组合，对“吉塞拉”外植体诱导培养25d；可明显提高丛生芽增殖系数(达到11)。

4)、生根培养

采用：1／4MS+6-BA0.3mg／L+IBA0.5mg／L培养基，黑暗处理15d进行生根培养，生根效果达到5根／株左右。

5)、炼苗技术

炼苗基质及配方选用：草粪：园土=1：1配比，在大棚对炼苗环境(温度、湿度)全程控制7d.炼苗温度保持在18℃～26℃之间，炼苗湿度保持在80％。成活率达90％以上；

6)、大田培育

通过炼苗成活的幼苗在移入大田，在自然环境中培育2——3月。

进一步，所述步骤1)外植体获取及脱毒的具体操作为：①脱毒：将盆栽苗放入热处理箱内，进行变温处理，开始处理时温度为30-32℃，然后每隔1d提高1℃，直至37～38℃，稳定处理6周。②杀菌消毒：取1.5-2.0cm长新梢，用自来水冲洗10～12h，然后在超净工作台上用70％酒精浸泡材料30s，用0.1％升汞浸泡8～12min，并不时轻轻搅动；加入适量吐温-倾去升汞-用无菌水冲洗8～10次后，用无菌纱布吸干水分；③外植体获取：在无菌室解剖镜下，切取0.3mm左右茎尖接种至培养基培养。

进一步，所述步骤2)中培养环境条件为：清洁环境，培养温度22-28℃，光照时间8-14h／d，光照强度1000-3000Lx。

进一步，所述步骤3)中培养基配方及具体浓度为：Ms+6-BA0.5mg／L+ZT0.2mg／L+KT0.2mg／L+IBA0.1mg／L。

进一步，所述步骤5)中炼苗基质也可为草炭土：蛭石：珍珠岩=6：3：1混合配比或草粪：园土=1：1配比。

进一步，所述步骤5)中温度炼苗温度在18℃～26℃之间；