[发明专利]一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法

权利要求书

1.一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，其特征在于，包括如下步骤： 

1)、外植体获取及脱毒： 

外植体要通过材料脱毒、杀菌消毒后获取无菌茎尖； 

2)、外植体诱导培养： 

外植体诱导培养基：用MS+6-BA0.5mg／L+ZT0.4mg／L+IBA0.1mg／L，对“吉塞拉”外植体诱导培养30d，获得新生芽体； 

3)、丛生芽增殖培养： 

选择用MS为基本培养基，用4种激素6-BA(6-苄氨基嘌呤)、ZT(玉米素)、KT(激动素)、IBA(吲哚丁酸)组合，对“吉塞拉”外植体诱导培养25d； 

4)、生根培养： 

采用：1／4MS+6-BA0.3mg／L+IBA0.5mg／L培养基，黑暗处理15d进行生根培养，生根效果达到5根／株左右； 

5)、炼苗技术 

炼苗基质及配方选用：草粪：园土=1：1配比，在大棚对炼苗环境(温度、湿度)全程控制7d；炼苗温度保持在18℃～26℃之间，炼苗湿度保持在80％。成活率达90％以上； 

6)、大田培育 

通过炼苗成活的幼苗在移入大田，在自然环境中培育2——3月。 

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)外植 体获取及脱毒的具体操作为：①脱毒：将盆栽苗放入热处理箱内，进行变温处理，开始处理时温度为30-32℃，然后每隔1d提高1℃，直至37～38℃，稳定处理6周。②杀菌消毒：取1.5-2.0cm长新梢，用自来水冲洗10～12h，然后在超净工作台上用70％酒精浸泡材料30s，用0.1％升汞浸泡8～12min，并不时轻轻搅动；加入适量吐温-倾去升汞-用无菌水冲洗8～10次后，用无菌纱布吸干水分；③外植体获取：在解剖镜下，切取0.3mm左右茎尖接种至培养基培养。 

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中培养环境条件为：清洁环境，培养温度22-28℃，光照时间8-14h／d，光照强度1000-3000Lx。 

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中培养基的具体浓度为：MS+6-BA0.5-1.0mg／L；ZT0.1-0.2mg／L；IBA0.3mg／L。 

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5)中炼苗基质也可为草炭土：蛭石：珍珠岩=6：3：1混合配比。 

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5)中温度炼苗温度在15℃～25℃之间。 

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5)中湿度控制方法为：试管苗移栽后的前三天湿度控制在90％以上，每天白天用喷雾喷头隔1小时喷一次水，喷洒过程中只喷叶面，不喷根部和营养土，连续三天，幼苗健康，叶子变绿，此后每天喷水两次，如 此连续一周，一周后每隔两天喷洒一次稀薄营养液，隔五天喷洒一次1000倍的多菌灵液，经过一个多月的精心管理后幼苗便可健康生长。