[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。在TFT-LCD行业中，高级超维场转换（Advanced super Dimension Switch，ADSDS）型薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）面内电场驱动模式的TFT-LCD产品，不但可提高TFT-LCD产品的画面品质，而且具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（Push Mura）等优点，ADSDS型TFT-LCD产品已经成为主流产品。

阵列基板的栅极驱动（Gate Driver on Array，GOA）技术是将形成栅极驱动电路的TFT集成于阵列基板上，从而省掉栅极驱动集成电路部分，从材料成本和工艺步骤两个方面来降低产品的成本。

目前，在TFT-LCD行业中，一方面为了使TFT-LCD产品具有较好的视觉效果，即：每英寸所拥有的像素（Pixels Per Inch，PPI）数目尽可能的高，另一方面为了能够降低产品的成本而采用GOA技术，因此，当制备高PPI并且采用GOA技术的阵列基板时，一般需要通过七次掩模工艺才能完成。然而，掩模工艺的成本和复杂度都很高，掩模的应用次数越多其制造成本就会越高，而且产品质量也越难保证。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的主要目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，可在现有工艺基础上减少一次掩模工艺次数，从而能降低制造成本和提高产品良品率。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及在衬底基板上形成的栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案、源漏电极的图案，其中，所述像素电极的图案位于栅极绝缘层的图案和欧姆接触层的图案之间。

优选地，所述栅极绝缘层的图案位于栅极的图案和像素电极的图案之间；所述欧姆接触层的图案位于有源层的图案和像素电极的图案之间。

优选地，所述阵列基板具体包括：衬底基板以及在衬底基板上依次形成的栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案和源漏电极的图案。

优选地，所述阵列基板还包括：在源漏电极的图案上方依次形成的钝化层的图案以及公共电极的图案。

本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板为上述所述的阵列基板，所述方法包括：在衬底基板上制作栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案、源漏电极的图案，其中，通过一次掩模工艺形成像素电极的图案和欧姆接触层的图案。

优选地，通过一次掩模工艺形成有源层的图案和栅极绝缘层的图案。

优选地，所述方法具体包括：

通过第一次掩模工艺在衬底基板上形成栅极的图案；

通过第二次掩模工艺形成像素电极的图案和欧姆接触层的图案；

通过第三次掩模工艺形成有源层的图案和栅极绝缘层的图案；

通过第四次掩模工艺形成源漏电极的图案。

优选地，所述方法还包括：

通过第五次掩模工艺形成钝化层的图案；

通过第六次掩模工艺形成公共电极的图案。

优选地，所述通过一次掩模工艺形成像素电极的图案和欧姆接触层的图案，具体包括：

依次形成像素电极薄膜和欧姆接触层薄膜；

在欧姆接触层薄膜上方涂覆光刻胶，利用半曝光掩模板进行曝光、显影后在对应源漏电极的区域形成光刻胶完全保留区域，在对应像素电极的区域形成光刻胶半保留区域，在其余区域形成光刻胶完全去除区域；

通过第一次刻蚀工艺去除光刻胶完全去除区域的像素电极薄膜和欧姆接触层薄膜；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，通过第二次刻蚀工艺去除光刻胶半保留区域的欧姆接触层薄膜；

通过剥离工艺去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。

优选地，所述通过一次掩模工艺形成有源层的图案和栅极绝缘层的图案，具体包括：