[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板以及在衬底基板上形成的栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案、源漏电极的图案，其特征在于，

所述像素电极的图案位于栅极绝缘层的图案和欧姆接触层的图案之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅极绝缘层的图案位于栅极的图案和像素电极的图案之间；

所述欧姆接触层的图案位于有源层的图案和像素电极的图案之间。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，具体包括：

衬底基板以及在衬底基板上依次形成的栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案和源漏电极的图案。

4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

在源漏电极的图案上方依次形成的钝化层的图案以及公共电极的图案。

5.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板为如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，所述方法包括：在衬底基板上制作栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案、源漏电极的图案，其特征在于，通过一次掩模工艺形成像素电极的图案和欧姆接触层的图案。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

通过一次掩模工艺形成有源层的图案和栅极绝缘层的图案。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：

通过第一次掩模工艺在衬底基板上形成栅极的图案；

通过第二次掩模工艺形成像素电极的图案和欧姆接触层的图案；

通过第三次掩模工艺形成有源层的图案和栅极绝缘层的图案；

通过第四次掩模工艺形成源漏电极的图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过第五次掩模工艺形成钝化层的图案；

通过第六次掩模工艺形成公共电极的图案。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过一次掩模工艺形成像素电极的图案和欧姆接触层的图案，具体包括：

依次形成像素电极薄膜和欧姆接触层薄膜；

在欧姆接触层薄膜上方涂覆光刻胶，利用半曝光掩模板进行曝光、显影后在对应源漏电极的区域形成光刻胶完全保留区域，在对应像素电极的区域形成光刻胶半保留区域，在其余区域形成光刻胶完全去除区域；

通过第一次刻蚀工艺去除光刻胶完全去除区域的像素电极薄膜和欧姆接触层薄膜；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，通过第二次刻蚀工艺去除光刻胶半保留区域的欧姆接触层薄膜；

通过剥离工艺去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通过一次掩模工艺形成有源层的图案和栅极绝缘层的图案，具体包括：

在形成栅极的图案之后，且在形成像素电极的图案和欧姆接触层的图案之前，在栅极的图案上方形成栅极绝缘层薄膜；在形成像素电极的图案和欧姆接触层的图案之后，在欧姆接触层的图案上方形成有源层薄膜；

在有源层薄膜上涂覆光刻胶，利用半曝光掩模板进行曝光、显影后在对应栅极的区域形成光刻胶完全保留区域，在对应栅线引线的区域形成光刻胶完全去除区域，其余区域形成光刻胶半保留区域；

通过第一次刻蚀工艺去除光刻胶完全去除区域的有源层薄膜和栅极绝缘层薄膜；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，通过第二次刻蚀工艺去除光刻胶半保留区域的有源层薄膜；

通过剥离工艺去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。