[发明专利]多层配线基板和使用该多层配线基板的探针卡

说明书

技术领域

本发明涉及安装有薄膜电阻器的多层配线基板和使用该多层配线基板的探针卡。

背景技术

对于半导体芯片这样的半导体IC，在其聚集地形成于半导体晶圆上之后，在分开成各芯片之前，该半导体IC要接受电检查。为了进行该电检查，通常，使用与作为被检查体的各半导体IC的电极焊盘相连接的探针卡（日文：プローブカード）。探针卡的各探针与被检查体的与之对应的电极焊盘相接触，由此，使被检查体与用于电检查的测试器相连接（例如，参照专利文献1）。

在这样的探针卡中，将多层配线基板作为探针基板，在该探针基板的一个面配置有多个探针。另外，在安装于该探针基板即多层配线基板的配线电路上，例如以阻抗匹配这样的电匹配为目的或者以对向各探针供给的电力进行控制为目的而安装有电阻器（例如，参照专利文献2）。

为了将电阻器安装于这样的多层配线基板，薄膜电阻器以被埋设于由成为配线基板的母材的电绝缘材料构成的合成树脂层的方式形成。该薄膜电阻器由具有比成为配线基板的母材的上述合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数的金属材料构成。

因此，当在热循环试验下进行上述被检查体的电检查时，会导致这样的结果：与上述探针卡的薄膜电阻器同粘着有该薄膜电阻器的合成树脂层之间的线膨胀系数的差相应地在该薄膜电阻器与上述合成树脂层之间的交界反复受到较大的应力。由这样的温度冲击产生的反复应力加速上述薄膜电阻器的劣化，从而导致其破损。

专利文献1：日本特开2010－151497号公报

专利文献2：日本特开2008－283131号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于提高薄膜电阻器的针对安装有该薄膜电阻器的多层配线基板的热变化的耐久性和提高应用有该多层配线基板的探针卡的针对热变化的耐久性。

本发明提供一种多层配线基板，其中，该多层配线基板包括：绝缘板，其由多个具有绝缘性的合成树脂层构成；配线电路，其设于该绝缘板；薄膜电阻器，其以沿着上述多个合成树脂层中的至少1个合成树脂层埋设于该合成树脂层内的方式形成，且被插入到上述配线电路中；以及热伸缩抑制层，其以被埋设于与埋设、形成有该薄膜电阻器的上述合成树脂层相邻的上述合成树脂层的方式形成并以在向该多层配线基板的厚度方向投影时与上述薄膜电阻器重叠的方式配置，该热伸缩抑制层具有比上述相邻的两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数。

另外，本发明提供一种探针卡，其包括多层配线基板和自该多层配线基板的表面突出的多个探针，其中，上述多层配线基板包括：绝缘板，其由多个具有绝缘性的合成树脂层构成；配线电路，其设于该绝缘板；薄膜电阻器，其以沿着上述多个合成树脂层中的至少1个合成树脂层埋设于该合成树脂层内的方式形成，且被插入到上述配线电路中；以及热伸缩抑制层，其以被埋设于与埋设、形成有该薄膜电阻器的上述合成树脂层相邻的上述合成树脂层的方式形成并以在向该多层配线基板的厚度方向投影时与上述薄膜电阻器重叠的方式配置，该热伸缩抑制层具有比上述相邻的两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数。上述探针分别与上述配线电路中的与之对应的配线线路相连接。

在本发明的上述多层配线基板中，由于配置在上述合成树脂层内的上述热伸缩抑制层具有比相邻的上述两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数，因此能够有效地抑制埋设有上述薄膜电阻器的上述合成树脂层沿着该薄膜电阻器进行热伸缩。因此能够抑制因上述薄膜电阻器与包围该薄膜电阻器的上述合成树脂层之间的热膨胀系数差而导致的上述薄膜电阻器与上述合成树脂层之间的热伸缩差。

因而，即使在上述多层配线基板在例如热循环试验下使用而因此使环境温度如以往那样较大地变化，如上所述，也能够抑制因随着该温度变化而产生的上述合成树脂层与上述薄膜电阻器之间的热膨胀系数差所导致的两者的热伸缩差，因此能够降低因该热伸缩差而作用于上述薄膜电阻器的应力。其结果，能够提高上述多层配线基板的上述薄膜电阻器的耐久性，从而提高上述多层配线基板和使用该多层配线基板的探针卡的耐久性。

为了更可靠地保护上述薄膜电阻器而不使其受到上述热伸缩差的影响，优选的是，上述热伸缩抑制层与上述薄膜电阻器大致平行地配置，且上述热伸缩抑制层超出该薄膜电阻器的配置区域而向该薄膜电阻器的配置区域外侧伸出。由此，能够使在上述薄膜电阻器与包围该薄膜电阻器的上述合成树脂层之间的界面处作用于上述薄膜电阻器的应力更可靠地降低和分散，因此能够提高基于上述热收缩抑制层的对上述薄膜电阻器保护的保护效果。