[发明专利]蚀刻剂组合物、形成LCD布线的方法、阵列基板及其制法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年11月19日递交的韩国专利申请10-2012-0130686的权益，从而通过全文引用将其并入。

技术领域

本发明涉及蚀刻剂组合物、使用其来形成布线的方法和制造用于液晶显示器（LCD）的阵列基板的方法，其中，在用于形成薄膜晶体管（TFT）的布线的包括Mo金属膜/金属氧化物膜的双层中，该蚀刻剂组合物可以使对下部金属氧化物膜的侵蚀最小化、对于上部Mo金属膜可以形成具有优异线性的锥形轮廓并可以选择性地仅蚀刻上部Mo金属膜。

背景技术

根据基板的种类和所需性能，用于诸如TFT-LCD的半导体装置的金属布线材料包括多种金属或它们的合金，这些金属或合金的例子可以包括Al、Al-Cu、Ti-W、Ti-N等。具体地，具有低电阻的Al或它的合金主要用于TFT-LCD的源级引线/漏级引线。

然而，近来因为根据过程简化、成本降低和大基板的制造而应该提高电性能，正在进行取代传统的Cr单层，或Al或Al合金的单层或多层（例如，Mp/Al-Nd双层或Mp/Al-Nd/Mo三层）而使用由Mo组成的单层的尝试。

同时，用于驱动平板显示器的TFT的半导体层主要由非晶硅或多晶硅形成。就膜形成过程而言，非晶硅是简单的，并且生产成本低，但它的电可靠性没有确保；而多晶硅由于高加工温度而非常难以应用到大面积的形成，且不可能确保取决于晶化过程的均匀性。

然而，在半导体层由氧化物组成的情况下，甚至当它在低温下形成时，也可以获得高迁移率，而且电阻的改变大，与氧含量成比例，从而非常易于得到所需的性质。因此，将它应用于TFT受到极大的关注。

例如，尝试使用一种制造下述TFT的方法以形成TFT阵列的布线，该TFT使用包括Mo金属膜/金属氧化物膜的双层。为此，需要能够选择性地仅蚀刻Mo金属膜而不侵蚀下部金属氧化物的技术。

就此而言，韩国专利申请公布10-2010-0082094公开了蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物用于Cu膜、Cu合金膜、Ti膜、Ti合金膜、Mo金属膜、Mo合金膜或包括它们的层叠的多层膜。该蚀刻剂组合物包含选自过硫酸钠、过硫酸钾及它们的混合物的过氧化物，氧化剂，含氟化合物，添加剂和去离子水。此外，韩国专利申请公布10-2007-0005275公开了湿蚀刻剂组合物，该湿蚀刻剂组合物适用于包括Mo、Al、Mo合金或Al合金的单层或多层，该蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸、无机磷酸盐类化合物或无机硝酸盐类化合物以及余量的水（H2O）。

然而，因为在制造使用包括Mo金属膜/金属氧化物膜的双层的TFT的方法中，在蚀刻Mo金属膜时，存在对下部金属氧化物的侵蚀的担忧，所以这些蚀刻剂组合物是有问题的。

[引文列表]

[专利文件]

韩国专利申请公布10-2010-0082094

韩国专利申请公布10-2007-0005275

发明内容

因此，本发明牢记在相关技术中所遇到的上述问题，而且本发明的目的是提供蚀刻剂组合物、使用所述蚀刻剂组合物形成布线的方法以及制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，其中，在用于形成TFT阵列的布线的包括Mo金属膜/金属氧化物膜的双层中，所述蚀刻剂组合物可以使对下部金属氧化物膜的侵蚀最小化、对于上部Mo金属膜可以形成具有优异线性的锥形轮廓并可以选择性地仅蚀刻上部Mo金属膜。

为了实现上述目的，本发明提供了蚀刻剂组合物，包含：（A）5.0～25.0wt%的过氧化氢（H₂O₂）；（B）1.0～5.0wt%的pH调节剂；以及（C）余量的水，其中，在包括Mo金属膜/金属氧化物膜的双层中，上部Mo金属膜被所述蚀刻剂组合物蚀刻。

此外，本发明提供形成液晶显示器的布线的方法，所述方法包括：（I）在基板上形成金属氧化物膜；（II）在所述金属氧化物膜上形成Mo金属膜；（III）选择性地将光敏材料留在所述Mo金属膜上；以及（IV）使用蚀刻剂组合物蚀刻所述Mo金属膜，其中，基于所述组合物的总重量，所述蚀刻剂组合物包含：（A）5.0～25.0wt%的过氧化氢（H₂O₂）；（B）1.0～5.0wt%的pH调节剂和（C）余量的水。