[发明专利]蚀刻剂组合物、形成LCD布线的方法、阵列基板及其制法

权利要求书

1.一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括：

（a）在基板上形成栅极；

（b）在具有所述栅极的所述基板上形成栅绝缘层；

（c）在所述栅绝缘层上形成作为有源层的金属氧化物膜；以及

（d）在所述金属氧化物膜上形成作为源极/漏极的Mo金属膜，

其中，（d）包括在所述金属氧化物膜上形成所述Mo金属膜和使用蚀刻剂组合物来蚀刻所述Mo金属膜，基于所述组合物的总重量，所述蚀刻剂组合物包含：（A）5.0～25.0wt%的过氧化氢；（B）1.0～5.0wt%的pH调节剂和（C）余量的水。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述用于液晶显示器的阵列基板是薄膜晶体管阵列基板。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物膜是含有AxByCzO的三元氧化物或四元氧化物的膜，A、B、C=Zn、Cd、Ga、In、Sn、Hf、Zr、Ta；x、y、z≥0，其中x、y和z中的两个或更多个不是零。

4.一种蚀刻剂组合物，包含：

（A）5.0～25.0wt%的过氧化氢；

（B）1.0～5.0wt%的pH调节剂；以及

（C）余量的水，

其中，在包括Mo金属膜/金属氧化物膜的双层中，上部Mo金属膜被所述蚀刻剂组合物蚀刻。

5.根据权利要求4所述的蚀刻剂组合物，其中，（B）pH调节剂是柠檬酸二氢钠/柠檬酸氢二钠、磷酸氢二钠/柠檬酸三钠，或醋酸铵。

6.根据权利要求4所述的蚀刻剂组合物，还包含螯合剂或防腐蚀剂。

7.一种形成液晶显示器的布线的方法，所述方法包括：

（I）在基板上形成金属氧化物膜；

（II）在所述金属氧化物膜上形成Mo金属膜；

（III）选择性地将光敏材料留在所述Mo金属膜上；以及

（IV）使用蚀刻剂组合物蚀刻所述Mo金属膜，

其中，基于所述组合物的总重量，所述蚀刻剂组合物包含：（A）5.0～25.0wt%的过氧化氢；（B）1.0～5.0wt%的pH调节剂和（C）余量的水。

8.一种用于液晶显示器的阵列基板，所述阵列基板包括使用根据权利要求4所述的蚀刻剂组合物所蚀刻的源极和漏极。