[发明专利]有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法。

背景技术

当前电子显示技术正显现蓬勃的发展态势，先进的液晶显示器（TFT-LCD）基本全面取代了传统的阴极射线管（CRT），并正向第三代显示技术——有机电致发光器件（OLED）过渡。有机电致发光器件（OLED）作为新一代显示器件，因其具有薄而轻（OLED器件封装后厚度约为2mm）、高对比度、快速响应、宽视角、高亮度、全彩色、耐低温、可以实现柔性显示、坚固等优点，在手机、个人电子助理、数码相机、车载显示、笔记本电脑、壁挂电视、电子纸以及军事领域的应用前景十分广阔。

有机电致发光显示器件按驱动方式可以分为无源驱动OLED（Passive Matrix Driving，PM-OLED）和有源驱动OLED（Active Matrix Driving，AM-OLED）两种。其中PM-OLED结构简单、制造成本低廉，多用于信息量低的一般简单显示中；而AM-OLED一般采用多晶硅p-Si或者氧化物半导体（如研究和应用较为普遍的IGZO）TFT作为开关元器件，实际上相当于在TFT-LCD的基础上形成有机电致发光层作为像素区，能够集合大量的显示信息并具备良好的发光和显示效果，因而在显示领域有取代TFT-LCD的可能。特别地，有机电致发光如果在形成在柔性基板上，还能实现柔性显示效果，将会极大改变人们对显示终端的认识，对显示领域产生深远影响。

AM-OLED虽然具有美好的前景，但相比当前普遍应用到的TFT-LCD，其制备过程更复杂，对制作工艺要求更高。TFT-LCD是电场型器件，每个像素只需一个用作寻址开关的TFT即可；而AM-OLED是电流驱动的显示器件，其亮度与流有机发光层的电流成正比，因而除寻址开关外，还需要恒流驱动控制开关。所以，AM-OLED一般采用两个及两个以上的TFT器件构成像素电路，两个及两个以上TFT器件分别起开关和驱动作用。如图1所示即为有源矩阵有机电致发光器件的一种由两个TFT器件构成的像素电路的等效示意图。两个TFT器件中一个开关薄膜晶体管和一个驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线，漏极连接驱动薄膜晶体管的栅极；驱动薄膜晶体管的源极连接电源电压线，漏极连接有机发光二极管的第一电极。

图2所示为传统的AM-OLED的结构示意图。如图2所示，传统的有源矩阵有机电致发光显示器件形成于衬底基板10上，并于衬底基板10上顺序形成栅极20、栅极保护层30、半导体有源层40、源极/漏极50、保护层60、平坦层70、阳极81、有机功能层82以及阴极83。其中，栅极经第一次构图工艺形成于衬底基板上，然后制作栅极保护层覆盖栅极和衬底基板的表面，接着，经第二次构图工艺在栅极保护层上形成有源层，之后，经第三次构图工艺在有源层的两侧形成源极和漏极。上述制作的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、栅极和漏极即构成薄膜晶体管；在制成薄膜晶体管之后，顺序制作保护层和平坦层覆盖于薄膜晶体管上，并经第四次构图工艺在保护层和平坦层上形成过孔。接着，经第五次构图工艺在平坦层上制作阳极，阳极经过过孔与薄膜晶体管得源极/漏极其中一端电性连接，在阳极制作完成后，在阳极表面制作有机功能层和阴极，这样即完成有源矩阵有机电致发光显示器件的制作。

现有技术中所存在的问题主要有：

AM-OLED中TFT的源、漏极和栅极分别位于有源层的两侧，由于有源层在靠近栅极的一侧表面形成电流通道，因此源、漏极需要经过半导体厚度这一低导电性区域而与电流通道相连，TFT导电性能受到影响；

TFT的源、漏极和栅极分别位于有源层的两侧，而AM-OLED中每一像素单元有至少两个TFT，且其中一个TFT的栅极与另一个TFT的源、漏极需要通过钝化层上的过孔进行连接，因而AM-OLED制作过程中有源层和源、漏极需要分别经过两次构图工艺形成，不能采用半色调掩膜（Half-tone Mask）工艺一次形成，导致AM-OLED的工艺制程增加；此外，有机致电发光层需要在完成TFT制程后再经过多次工艺形成，增加了工艺制程复杂性。

发明内容

本发明的目的是提供一种有源矩阵有机电致发光显示器件，其能够很大程度上减少工艺制程，提高TFT导电性能。

本发明所提供的技术方案如下：

一种有源矩阵有机电致发光显示器件，包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括驱动区域和发光区域，其中所述驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管；所述发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有机电致发光结构；所述薄膜晶体管为顶栅极结构，其包括：