[发明专利]有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种有源矩阵有机电致发光显示器件，包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括驱动区域和发光区域，其中所述驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管；所述发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有机电致发光结构；其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅极结构，其包括：

形成于所述衬底基板上的有源层；

形成于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的源、漏极；

形成于所述源、漏极的远离所述有源层一侧，并覆盖整个所述驱动区域和所述发光区域的钝化层；以及，

形成于所述钝化层的远离所述源、漏极一侧的栅极。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机电致发光显示器件，其特征在于，在所述栅极的远离所述衬底基板的一侧还覆盖有像素隔离层。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵有机电致发光显示器件，其特征在于，所述有机电致发光结构为顶部发光结构，其包括：

形成于所述钝化层的远离所述衬底基板一侧，并设置于与所述发光区域相对应位置的阴极，所述阴极与所述源、漏极电性连接；

形成于所述阴极的远离所述衬底基板一侧的有机功能层；

以及，形成于所述有机功能层的远离所述阴极一侧的阳极。

4.根据权利要求3所述的有源矩阵有机电致发光显示器件，其特征在于，所述阴极与所述栅极处于同一层。

5.根据权利要求3所述的有源矩阵有机电致发光显示器件，其特征在于，至少两个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述钝化层在与所述第一薄膜晶体管的源、漏极对应的位置形成有第一过孔；其中所述第一薄膜晶体管的源、漏极通过所述第一过孔与所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接。

6.根据权利要求5所述的有源矩阵有机电致发光显示器件，其特征在于，所述钝化层在与所述第二薄膜晶体管的源、漏极对应的位置形成有第二过孔；所述有机电致发光结构的阴极通过所述第二过孔与所述第二薄膜晶体管的源、漏极电性连接。

7.根据权利要求3所述的有源矩阵有机电致发光显示器件，其特征在于，所述有机功能层包括：

形成于所述阴极的远离所述钝化层一侧的电子传输层；

形成于所述电子传输层的远离所述阴极一侧的有机发光层；

以及，形成于所述有机发光层的远离所述电子传输层一侧的空穴传输层。

8.根据权利要求1所述的有源矩阵有机电致发光显示器件，其特征在于，所述有源矩阵有机电致发光显示器件还包括与所述源、漏极连接的数据信号线和电源线，其中所述数据信号线和所述电源线与所述源、漏极处于同一层。

9.一种显示装置，其特征在于，其包括如权利要求1至8任一项所述的有源矩阵有机电致发光显示器件。

10.一种有源矩阵有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成有源层及位于所述有源层两侧的源、漏极；

在所述源、漏极上形成钝化层；

在所述钝化层上形成栅极。

11.根据权利要求10所述的有源矩阵有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述方法具体包括：

在衬底基板上依次沉积半导体层和第一金属层，通过第一次构图工艺形成有源层和位于所述有源层两侧的源、漏极；

在所述源漏、极上覆盖整个像素单元沉积第一绝缘层，并通过第二次构图工艺形成钝化层；

在所述钝化层上沉积第二金属层，并通过第三次构图工艺形成栅极。