[发明专利]电子照相感光体、处理盒和成像装置

权利要求书

1.一种电子照相感光体，其包括：

导电性基体；

有机感光层，该有机感光层设置在所述导电性基体上；以及

无机保护层，该无机保护层设置在所述有机感光层上，以便于与所述有机感光层的表面接触，

其中所述有机感光层依次包括位于所述导电性基体上的电荷发生层和电荷输送层，其中该电荷输送层包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒，

位于所述无机保护层侧的所述电荷输送层表面的表面粗糙度Ra小于等于0.06μm。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的含量占所述电荷输送层的总重量的30重量％至70重量％。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的含量大于所述电荷输送材料的含量。

4.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，

其中相对于除去所述二氧化硅颗粒的重量之后的所述电荷输送层的全部成分的重量，所述电荷输送材料的含量为40重量％至60重量％。

5.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，

其中所述电荷输送层的弹性模量大于等于5 GPa。

6.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的体均粒径为20nm至200nm。

7.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的表面经过疏水剂处理。

8.根据权利要求7所述的电子照相感光体，

其中所述疏水剂为具有三甲基硅烷基团、癸基硅烷基团或苯基硅烷基团的硅烷化合物。

9.根据权利要求7所述的电子照相感光体，

其中在经过所述疏水剂处理的所述表面上，所述二氧化硅颗粒的缩合比大于等于90％。

10.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述电荷输送层的厚度为10μm至40μm。

11.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的体积电阻率大于等于10¹¹Ω·cm。

12.一种处理盒，其可从成像装置上拆卸下来，该处理盒包括根据权利要求1至11中任意一项所述的电子照相感光体。

13.一种成像装置，包括：

根据权利要求1至11中任意一项所述的电子照相感光体；

充电单元，其对所述电子照相感光体的表面进行充电；

潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的充电表面上形成潜像；

显影单元，该显影单元利用调色剂使在所述电子照相感光体的表面上形成的所述潜像显影，从而形成调色剂图像；以及

转印单元，该转印单元将在所述电子照相感光体的表面上形成的所述调色剂图像转印至记录介质。