[发明专利]磁芯片及传感器有效
申请号: | 201310462906.0 | 申请日: | 2013-09-30 |
公开(公告)号: | CN104422904B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 姚明高;时启猛;刘乐杰 | 申请(专利权)人: | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07;G01R33/09 |
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地址: | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 传感器 | ||
1.一种磁芯片,包括衬底和设于所述衬底表面的至少一个惠斯通电桥,所述惠斯通电桥包括多条磁感应膜,其特征在于,同一所述惠斯通电桥中的所述磁感应膜设置在同一直线上,位于最外侧的所述磁感应膜的边缘端还设有与其连接的补偿偏置膜。
2.根据权利要求1所述的磁芯片,其特征在于,所述惠斯通电桥包括两条磁感应膜,所述两条磁感应膜形成惠斯通半桥电路,每条所述磁感应膜作为惠斯通半桥电路的一个桥臂,并且所述两条磁感应膜的钉扎方向相反。
3.根据权利要求1所述的磁芯片,其特征在于,所述惠斯通电桥包括四条磁感应膜,所述四条磁感应膜形成惠斯通全桥电路,每条所述磁感应膜作为惠斯通全桥电路的一个桥臂,并且相邻两桥臂的钉扎方向相反。
4.根据权利要求1所述的磁芯片,其特征在于,不同所述惠斯通电桥的所述磁感应膜设置在同一直线上。
5.根据权利要求1所述的磁芯片,其特征在于,所述磁感应膜为GMR膜、巨磁阻膜、霍尔效应膜、各向异性磁阻膜、隧道效应磁阻膜。
6.根据权利要求1所述的磁芯片,其特征在于,所述磁感应膜为连续不间断薄膜或不连续间断薄膜。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的磁芯片,其特征在于,所述惠斯通电桥包括多个芯片焊盘,所述多个芯片焊盘与对应地所述磁感应膜电连接,以利于电连接所述磁感应膜。
8.一种传感器,包括磁检测部件、支架、外壳和线路板,所述支架和所述外壳扣合在一起形成容纳空间,所述磁检测部件设于所述容纳空间内,所述线路板用于将所述磁检测部件获得的电压信号输出,其特征在于,所述磁检测部件为磁芯片,所述磁芯片采用权利要求1-7任意一项所述磁芯片。
9.根据权利要求8所述的传感器,其特征在于,所述线路板为软线路板。
10.根据权利要求8所述的传感器,其特征在于,还包括由导磁材料制作的磁调制装置,所述磁调制装置设有容纳部,所述磁芯片设于所述容纳部。
11.根据权利要求8所述的传感器,其特征在于,所述外壳采用铁氧体、坡莫合金或硅钢片材料制作,在所述外壳上设有与所述磁芯片数量一致的窗口,每一所述磁芯片对应一所述窗口,所述磁芯片的感应面朝向所述窗口。
12.根据权利要求8所述的传感器,其特征在于,所述外壳采用铁氧体、坡莫合金或硅钢片材料制作,在所述外壳上设有一窗口,所述磁芯片与所述窗口相对,且所述磁芯片的感应面朝向所述窗口。
13.根据权利要求8所述的传感器,其特征在于,所述外壳采用非屏蔽材料制作。
14.根据权利要求13所述的传感器,其特征在于,在所述外壳顶面的内侧设有凹槽,所述凹槽的数量及设置位置与所述磁芯片的数量和位置一致,所述磁芯片对应地嵌于所述凹槽。
15.根据权利要求14所述的传感器,其特征在于,在所述外壳顶面的内侧设有一个凹槽,所述磁芯片嵌于所述凹槽。
16.根据权利要求8所述的传感器,其特征在于,所述外壳的顶面为弧面或平面。
17.根据权利要求8所述的传感器,其特征在于,在所述外壳和所述支架之间设有还设有屏蔽板。
18.根据权利要求17所述的传感器,其特征在于,在所述屏蔽板的两相对侧设有凸部,在所述外壳上设有与所述凸部位置及形状相匹配的凹部,所述支架和所述外壳扣合在一起时,所述凸部卡接在所述凹部;在所述支架上设有固定部,所述外壳和所述支架通过所述固定部固定在一起。
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