[发明专利]硅基液晶面板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板领域，特别涉及一种硅基液晶面板的制作方法。

背景技术

LCOS(Liquid Crystal On Silicon)技术是2000年以后发展起来的一种新型的液晶显示技术，也称之为硅基液晶显示技术或反射式液晶显示技术。与传统的薄膜晶体管液晶面板(TFT-LCD)相比，硅基液晶显示面板具有高分辨力、高对比度、高开口率、低成本等优点。

图1～图6为现有硅基液晶显示面板形成过程的剖面结构示意图。

参考图1，提供半导体衬底101，在所述半导体衬底101上形成金属层102，所述金属层的材料为铝。

参考图2，刻蚀所述金属层102(参考图1)，形成若干分立的金属块103，所述金属块103的表面为光线的反射面。

参考图3，形成覆盖所述金属块103和半导体衬底101的绝缘介质材料层104，绝缘介质材料层104的形成工艺为高密度等离子体化学气相沉积，材料为氧化硅。

参考图4，平坦化所述绝缘介质材料层暴露出金属块103的表面，平坦化工艺为化学机械研磨，研磨时以金属块103表面为停止层。

参考图5，形成覆盖所述金属块103和绝缘介质材料层104表面的钝化层105。

参考图6，在所述钝化层105上形成液晶层106，在液晶层106上形成玻璃基板107。

现有的硅基液晶面板制作方法形成的金属块表面容易形成缺陷，影响了金属块的反射率。

发明内容

本发明解决的问题是在硅基液晶显示面板的制作过程中，防止在金属块表面产生缺陷。

为解决上述问题，本发明提供了一种硅基液晶显示面板的制作方法，包括：半导体衬底；在半导体衬底上依次形成金属层、位于金属层上的保护层、位于保护层上的硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和保护层，在硬掩膜层和保护层中形成若干第一开口；以所述硬掩膜层和保护层为掩膜，沿第一开口刻蚀所述金属层，形成若干行列排布的金属块，相邻金属块之间具有第二开口，金属块的表面为光线反射面；形成覆盖硬掩膜层表面的隔离介质层，所述隔离介质层填充满第一开口和第二开口；平坦化所述隔离介质层，暴露出硬掩膜层的表面；去除所述硬掩膜层；采用灰化工艺去除所述保护层。

可选的，所述保护层的材料为无定形碳。

可选的，所述保护层的形成工艺为化学气相沉积，采用的气体为乙炔和氮气，温度为300～500摄氏度，腔室压力8～10托。

可选的，所述保护层的厚度为300～500埃。

可选的，灰化工艺去除所述保护层采用的气体为O₂，射频源功率为300～400W，腔室压力为5～8托，温度为100～200摄氏度，时间为大于120秒。

可选的，所述硬掩膜层为双层堆叠结构，包括第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层，第一掩膜层和第二掩膜层的材料不相同。

可选的，所述第二掩膜层的材料为氧化硅，所述第一掩膜层的材料为氮化硅。

可选的，所述掩膜层和保护层中第一开口的形成过程为：在所述第二掩膜层表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀第二掩膜层，在第二掩膜层中形成第一子开口；去除所述图形化的光刻胶层；以第二掩膜层为掩膜，沿第一子开口刻蚀所述第一掩膜层和保护层，在第一掩膜层和保护层中形成第二子开口，第二子开口和第一子开口构成第一开口。

可选的，平坦化所述隔离介质层采用化学机械研磨或无掩膜回刻蚀工艺。

可选的，所述隔离介质层的形成工艺为高密度等离子化学气相沉积。

可选的，隔离介质层的材料为氧化硅。

可选的，采用灰化工艺去除所述保护层后，还包括：在金属块和隔离介质层表面形成钝化层。

可选的，所述钝化层的材料为氧化硅。

可选的，还包括：在钝化层上形成无机物导向膜；在无机物导向膜上形成液晶层；在液晶层上形成玻璃基板。

可选的，所述半导体衬底内形成有像素驱动电路，所述像素驱动电路与金属块相连。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：