[发明专利]硅基液晶面板的制作方法

权利要求书

1.一种硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在半导体衬底上依次形成金属层、位于金属层上的保护层、位于保护层上的硬掩膜层；

刻蚀所述硬掩膜层和保护层，在硬掩膜层和保护层中形成若干第一开口；

以所述硬掩膜层和保护层为掩膜，沿第一开口刻蚀所述金属层，形成若干行列排布的金属块，相邻金属块之间具有第二开口，金属块的表面为光线反射面；

形成覆盖硬掩膜层表面的隔离介质层，所述隔离介质层填充满第一开口和第二开口；

平坦化所述隔离介质层，暴露出硬掩膜层的表面；

去除所述硬掩膜层；

采用灰化工艺去除所述保护层。

2.如权利要求1所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料为无定形碳。

3.如权利要求2所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述保护层的形成工艺为化学气相沉积，采用的气体为乙炔和氮气，温度为300～500摄氏度，腔室压力8～10托。

4.如权利要求2所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度为300～500埃。

5.如权利要求4所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，灰化工艺去除所述保护层采用的气体为O₂，射频源功率为300～400W，腔室压力为5～8托，温度为100～200摄氏度，时间为大于120秒。

6.如权利要求1所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层为双层堆叠结构，包括第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层，第一掩膜层和第二掩膜层的材料不相同。

7.如权利要求6所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料为氧化硅，所述第一掩膜层的材料为氮化硅。

8.如权利要求6所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述掩膜层和保护层中第一开口的形成过程为：在所述第二掩膜层表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀第二掩膜层，在第二掩膜层中形成第一子开口；去除所述图形化的光刻胶层；以第二掩膜层为掩膜，沿第一子开口刻蚀所述第一掩膜层和保护层，在第一掩膜层和保护层中形成第二子开口，第二子开口和第一子开口构成第一开口。

9.如权利要求1所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，平坦化所述隔离介质层采用化学机械研磨或无掩膜回刻蚀工艺。

10.如权利要求1所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述隔离介质层的形成工艺为高密度等离子化学气相沉积。

11.如权利要求10所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，隔离介质层的材料为氧化硅。

12.如权利要求1所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，采用灰化工艺去除所述保护层后，还包括：在金属块和隔离介质层表面形成钝化层。

13.如权利要求12所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氧化硅。

14.如权利要求12所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，还包括：在钝化层上形成无机物导向膜；在无机物导向膜上形成液晶层；在液晶层上形成玻璃基板。

15.如权利要求1所述的硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底内形成有像素驱动电路，所述像素驱动电路与金属块相连。