[发明专利]磨削装置和磨削方法在审
| 申请号: | 201310460036.3 | 申请日: | 2013-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN103715078A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
| 发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/301;B24B7/22 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磨削 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于对从分割起点分割成多个芯片的半导体晶片等薄板状的被加工物进行磨削的磨削装置和磨削方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,将在表面形成了具有电路的大量器件的半导体晶片沿着格状的分割预定线进行分割,所述分割预定线用于划分各器件的形成区域,由此,使所述半导体晶片独立成片为具有器件的大量半导体芯片。在这样将半导体晶片等被加工物分割成大量芯片时,对被加工物的未形成器件的背面侧进行磨削来使被加工物变薄,从而获得预定厚度的芯片。
为了这样大量获得比原本的被加工物薄的芯片,通常的工序为在背面磨削之后进行分割,但近年来,已知有以下方法:首先对被加工物实施形成分割起点的处理,然后进行背面磨削,由此进行分割(参照专利文献1等)。具体可以列举出以下方法:沿着分割预定线照射具有透射性的波长的激光束,来在被加工物的内部形成改性层,然后磨削背面侧,由此以改性层为起点进行分割;或者,沿着分割预定线在被加工物的表面侧形成到达预定厚度的槽,然后磨削背面侧直到槽,由此进行分割。
专利文献1:国际公开WO2003/077295号公报。
在上述的、通过照射激光束来在被加工物的内部形成改性层然后背面磨削的方法中,在分割的芯片之间未形成间隔,因此,在将被加工物分割成了芯片的状态下进一步进行背面磨削直至预定厚度时,相邻的芯片有可能彼此接触,从而在芯片的外周产生缺口等损伤。此外,在被加工物的表面侧形成槽然后进行背面磨削的方法中,如果为了增加所获得的芯片的数量而使槽宽减小到例如几十μm,则芯片之间的间隔变窄,产生了芯片的缺口这样的同样的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,其主要的技术课题在于提供一种磨削装置和磨削方法,能够在对通过磨削来从分割起点分割成多个芯片的半导体晶片等薄板状的被加工物进行磨削时,降低在分割出的芯片的外周产生缺口的可能性。
本发明的磨削装置用于磨削被加工物单元的被加工物,被加工物单元由以下部分构成:所述被加工物;带,其粘贴于所述被加工物并具有扩张性;以及环状框架,所述带的外周粘贴于该环状框架,所述磨削装置的特征在于,其具备:保持工作台,其具有保持面,该保持面经由所述带将所述被加工物单元的所述被加工物保持成能够旋转;负压生成构件,其对所述保持面作用抽吸力;环状框架固定构件,其具有在所述保持工作台的外周载置所述环状框架的环状框架载置面,该环状框架固定构件固定所述环状框架,并与所述保持工作台一起旋转;磨削构件,其具有对保持在所述保持工作台的所述被加工物进行磨削的磨削磨具;磨削进给构件,其使所述磨削构件相对于保持在所述保持工作台的所述被加工物以接近和远离的方式相对移动;以及移动构件,其使所述环状框架固定构件和所述保持工作台相对移动,来使所述保持面相对于所述环状框架载置面突出(技术方案1)。
此外,本发明的磨削方法是利用技术方案1所述的磨削装置对所述被加工物单元进行磨削的磨削方法,其特征在于,所述磨削方法具备:分割起点形成步骤,沿着具有交叉的多条分割预定线的被加工物的该分割预定线,形成从被加工物的表面侧至少到达完成厚度的分割起点;被加工物单元形成步骤,在实施了所述分割起点形成步骤后,在被加工物的表面粘贴具有扩张性的带,并且将该带的外周粘贴于环状框架,从而形成被加工物单元;载置步骤,在实施了所述被加工物单元形成步骤后,将所述被加工物单元的所述被加工物载置于所述保持工作台,并且将所述环状框架载置于所述环状框架固定构件的所述环状框架载置面;保持步骤,使所述负压生成构件进行动作,对载置有所述被加工物单元的所述保持工作台的所述保持面作用抽吸力,经由所述带将所述被加工物抽吸保持在所述保持工作台,并且,将所述环状框架固定在所述环状框架固定构件;磨削步骤,在实施了所述保持步骤后,使所述保持工作台和所述环状框架固定构件旋转,并借助所述磨削进给构件使所述磨削构件进行磨削进给,将所述被加工物磨削至未达到所述完成厚度的预定厚度;抽吸解除步骤,在实施了所述磨削步骤后,停止所述负压生成构件,解除所述保持工作台的抽吸保持;间隔形成步骤,在实施了所述抽吸解除步骤后,借助所述移动构件使所述保持工作台的所述保持面相对于所述环状框架固定构件的所述环状框架载置面突出,由此,在沿着所述分割预定线分割所述被加工物而形成的多个芯片之间形成间隔;再保持步骤,在实施了所述间隔形成步骤后,使所述负压生成构件进行动作,经由所述带将所述被加工物抽吸保持在所述保持工作台;以及精磨削步骤,在实施了所述再保持步骤后,将所述被加工物磨削到所述完成厚度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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