[发明专利]磨削装置和磨削方法在审
| 申请号: | 201310460036.3 | 申请日: | 2013-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN103715078A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
| 发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/301;B24B7/22 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磨削 装置 方法 | ||
1.一种磨削装置,其用于磨削被加工物单元的被加工物,被加工物单元由以下部分构成:所述被加工物;带,其粘贴于所述被加工物并具有扩张性;以及环状框架,所述带的外周粘贴于该环状框架,所述磨削装置的特征在于,其具备:
保持工作台,其具有保持面,该保持面经由所述带将所述被加工物单元的所述被加工物保持成能够旋转;
负压生成构件,其对所述保持面作用抽吸力;
环状框架固定构件,其具有在所述保持工作台的外周载置所述环状框架的环状框架载置面,该环状框架固定构件固定所述环状框架,并与所述保持工作台一起旋转;
磨削构件,其具有对保持在所述保持工作台的所述被加工物进行磨削的磨削磨具;
磨削进给构件,其使所述磨削构件相对于保持在所述保持工作台的所述被加工物以接近和远离的方式相对移动;以及
移动构件,其使所述环状框架固定构件和所述保持工作台相对移动,来使所述保持面相对于所述环状框架载置面突出。
2.一种磨削方法,其是利用权利要求1所述的磨削装置对所述被加工物单元进行磨削的磨削方法,其特征在于,所述磨削方法具备:
分割起点形成步骤,沿着具有交叉的多条分割预定线的被加工物的该分割预定线,形成从被加工物的表面侧至少到达完成厚度的分割起点;
被加工物单元形成步骤,在实施了所述分割起点形成步骤后,在被加工物的表面粘贴具有扩张性的带,并且将该带的外周粘贴于环状框架,从而形成被加工物单元;
载置步骤,在实施了所述被加工物单元形成步骤后,将所述被加工物单元的所述被加工物载置于所述保持工作台,并且将所述环状框架载置于所述环状框架固定构件的所述环状框架载置面;
保持步骤,使所述负压生成构件进行动作,对载置有所述被加工物单元的所述保持工作台的所述保持面作用抽吸力,经由所述带将所述被加工物抽吸保持在所述保持工作台,并且,将所述环状框架固定在所述环状框架固定构件;
磨削步骤,在实施了所述保持步骤后,使所述保持工作台和所述环状框架固定构件旋转,并借助所述磨削进给构件使所述磨削构件进行磨削进给,将所述被加工物磨削至未达到所述完成厚度的预定厚度;
抽吸解除步骤,在实施了所述磨削步骤后,停止所述负压生成构件,解除所述保持工作台的抽吸保持;
间隔形成步骤,在实施了所述抽吸解除步骤后,借助所述移动构件使所述保持工作台的所述保持面相对于所述环状框架固定构件的所述环状框架载置面突出,由此,在沿着所述分割预定线分割所述被加工物而形成的多个芯片之间形成间隔;
再保持步骤,在实施了所述间隔形成步骤后,使所述负压生成构件进行动作,经由所述带将所述被加工物抽吸保持在所述保持工作台;以及
精磨削步骤,在实施了所述再保持步骤后,将所述被加工物磨削到所述完成厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





