[发明专利]多圈QFN封装引线框架制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制备方法，尤其是一种多圈QFN封装引线框架制备方法，属于半导体封装的技术领域。

背景技术

多圈QFN（Quad Flat No-lead Package）是近期发展起来的一种新的封装形式，其基本结构与QFN封装相似，不同的是它有多排外引脚，多排外引脚之间可以交错排列，以增加外引脚的密度。现有的多圈QFN均采用冲压法来制备引线框架，需要昂贵的模具和设备，制备工艺复杂，灵活性差，成本高，加工精度低，难以满足使用需求。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种多圈QFN封装引线框架制备方法，其结构紧凑，工艺简单方便，兼容性好，成本低，加工精度及加工效率高。

按照本发明提供的技术方案，所述多圈QFN封装引线框架制备方法，所述封装引线框架制备方法包括如下步骤：

一种多圈QFN封装引线框架制备方法，其特征是，所述封装引线框架制备方法包括如下步骤：

a、提供基板，并在所述基板的正面上设置形成所需的引脚图形；

b、利用基板上引脚图形，在基板上生成所需的多圈外引脚；

c、在上述基板上设置所需的封装芯片，并将所述封装芯片通过连接线与基板上的外引脚电连接；

d、对上述基板上方的封装芯片进行塑封，得到塑封体，所述塑封体将封装芯片、连接线及外引脚压盖在基板上；

e、对上述基板的背面进行刻蚀，以将封装芯片的外引脚分离。

所述步骤a中，包括如下步骤：

a1、提供基板，并在所述基板的正面上设置所需的干膜；

a2、对基板上的干膜进行曝光及显影，以在基板上得到引脚隔离图形；基板的正面通过引脚隔离图形形成所需的引脚图形。

所述基板的材料包括铜。

所述步骤b中，所述的多圈外引脚通过在基板上的引脚图形中电镀所需厚度的电镀金属层以及在所述电镀金属层上设置表面处理层得到。

所述步骤e中，对基板的背面刻蚀后，在外引脚的表面上设置外引脚处理层。

所述电镀金属层的材料包括铜，表面处理层的材料包括锡、Ni或Au。

本发明的优点：将引线框架的制备工艺与基板制备工艺融合，使用基板工艺来生产多圈QFN所需要的引线框架；采用半加成法来制备芯片的内外引脚，提高了外引脚的制备精度，可以制备更细间距的外引脚阵列，同时保证外引脚尺寸的精度，工艺灵活性高，可以根据需求随时改变外引脚的排列方式，避免传统的冲压成型中需要更换磨具，周期长，成本高的问题。一次可同时成型多个引线框架，效率高，适应自动化生产且制品均匀性好。通过对基板蚀刻来实现外引脚的分离，不需要磨削来实现外引脚的分离，减小了对封装结构的破坏，保证了外引脚面的平整性。可以将引线框架做的很薄（100μm厚或者更小）且厚度可调，符合轻薄短小的发展趋势。

附图说明

图1~图8为本发明具体实施工艺的剖视图，其中

图1为本发明基板的剖视图。

图2为本发明基板上设置干膜后的剖视图。

图3为本发明对干膜进行曝光后的剖视图。

图4为本发明进行显影后的剖视图。

图5为本发明电镀得到外引脚后的剖视图。

图6为本发明进行贴片以及打线后的剖视图。

图7为本发明进行塑封后的剖视图。

图8为本发明对基板进行刻蚀，使得外引脚分离后的剖视图。

图9为图8的仰视图。

附图标记说明：1-基板、2-干膜、3-引脚隔离图形、4-掩膜板、5-窗口、6-电镀金属层、7-表面处理层、8-封装芯片、9-连接线、10-塑封体、11-外引脚处理层、12-引脚图形、13-外引脚及14-芯片安装图形。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

如图1~图9所示：为了能够方便地制备多圈QFN封装引线框架，降低加工成本，提高生产精度及效率，本发明所述封装引线框架制备方法包括如下步骤：

a、提供基板1，并在所述基板1的正面上设置形成所需的引脚图形12；

如图1~图4所示：本发明实施例中，基板1的材料包括铜，为了能够在基板1上得到引脚图形12，所述步骤a中，包括如下步骤：

a1、提供基板1，并在所述基板1的正面上设置所需的干膜2；

基板1上设置干膜2的类型可以根据所要求的外引脚间距、外引脚大小以及所需基板1的厚度来决定的，如图1和图2所示。