[发明专利]多圈QFN封装引线框架制备方法无效
| 申请号： | 201310455182.7 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103474358A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘文龙 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | qfn 封装 引线 框架 制备 方法 | ||
1. 一种多圈QFN封装引线框架制备方法，其特征是，所述封装引线框架制备方法包括如下步骤：
（a）、提供基板（1），并在所述基板（1）的正面上设置形成所需的引脚图形（12）；
（b）、利用基板（1）上引脚图形（12），在基板（1）上生成所需的多圈外引脚（13）；
（c）、在上述基板（1）上设置所需的封装芯片（8），并将所述封装芯片（8）通过连接线（9）与基板（1）上的外引脚（13）电连接；
（d）、对上述基板（1）上方的封装芯片（8）进行塑封，得到塑封体（10），所述塑封体（10）将封装芯片（8）、连接线（9）及外引脚（13）压盖在基板（1）上；
（e）、对上述基板（1）的背面进行刻蚀，以将封装芯片（8）的外引脚（13）分离。
2.根据权利要求1所述的多圈QFN封装引线框架制备方法，其特征是，所述步骤（a）中，包括如下步骤：
（a1）、提供基板（1），并在所述基板（1）的正面上设置所需的干膜（2）；
（a2）、对基板（1）上的干膜（2）进行曝光及显影，以在基板（1）上得到引脚隔离图形（3）；基板（1）的正面通过引脚隔离图形（3）形成所需的引脚图形（12）。
3.根据权利要求1或2所述的多圈QFN封装引线框架制备方法，其特征是：所述基板（1）的材料包括铜。
4.根据权利要求1所述的多圈QFN封装引线框架制备方法，其特征是，所述步骤（b）中，所述的多圈外引脚（13）通过在基板（1）上的引脚图形（12）中电镀所需厚度的电镀金属层（6）以及在所述电镀金属层（6）上设置表面处理层（7）得到。
5.根据权利要求1所述的多圈QFN封装引线框架制备方法，其特征是，所述步骤（e）中，对基板（1）的背面刻蚀后，在外引脚（13）的表面上设置外引脚处理层（11）。
6.根据权利要求4所述的多圈QFN封装引线框架制备方法，其特征是：所述电镀金属层（6）的材料包括铜，表面处理层（7）的材料包括锡、Ni或Au。
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