[发明专利]半导体存储控制单元、集成电路及集成电路的制造方法有效

申请号：	201310455095.1	申请日：	2013-09-27
公开（公告）号：	CN104517987B	公开（公告）日：	2019-01-22
发明（设计）人：	黄河	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	H01L27/24	分类号：	H01L27/24;H01L27/22;H01L21/822
代理公司：	北京市磐华律师事务所 11336	代理人：	董巍;高伟
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	半导体存储控制单元集成电路制造方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体存储控制单元，其特征在于，包括位于半导体衬底上的开关晶体管与电阻存储单元，其中，

所述开关晶体管包括位于所述半导体衬底的第一表面上的栅极、位于所述半导体衬底内的源极和漏极，还包括位于所述半导体衬底的所述第一表面的用于连接所述源极的源极连接端子和用于连接所述栅极的栅极连接端子，以及位于所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面上用于连接延伸至所述第二表面的所述漏极的漏极连接端子；

所述电阻存储单元位于所述半导体衬底的所述第二表面一侧，并且所述电阻存储单元的第一端极通过所述漏极连接端子与所述开关晶体管的所述漏极相连接。

2.如权利要求1所述的半导体存储控制单元，其特征在于，所述源极连接端子、所述漏极连接端子和所述栅极连接端子的材料为金属硅化物。

3.如权利要求1所述的半导体存储控制单元，其特征在于，所述电阻存储单元还包括用于引入参考电势的第二端极。

4.如权利要求1至3任一项所述的半导体存储控制单元，其特征在于，所述电阻存储单元包括电流导通制热的热相变存储元件、电压调制的可变电阻敏感存储元件或者磁阻存储元件。

5.如权利要求4所述的半导体存储控制单元，其特征在于，所述热相变存储元件的材料包括锗锑碲的合金。

6.如权利要求4所述的半导体存储控制单元，其特征在于，所述电阻存储单元包括磁隧道结器件。

7.一种集成电路，其特征在于，包括位于半导体衬底上的半导体存储控制单元阵列，所述半导体存储控制单元阵列包括多个半导体存储控制单元；其中，每一个所述半导体存储控制单元包括位于所述半导体衬底上的开关晶体管与电阻存储单元，其中，

所述电阻存储单元位于所述半导体衬底的所述第二表面一侧，其中，所述电阻存储单元的第一端极通过所述漏极连接端子与所述开关晶体管的所述漏极相连接。

8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，在所述半导体存储控制单元阵列中，位于同一行的所述半导体存储控制单元中的开关晶体管的栅极连接端子均与一个行引导线相连接，位于同一列的所述半导体存储控制单元中的开关晶体管的源极连接端子均与一个列引导线相连接。

9.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，各个所述电阻存储单元的第二端极均与一个参考电势相连接。

10.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述行引导线均连接一个电压输入选择开关，所述列引导线均连接一个读出信号感测子电路。

11.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述行引导线均连接一个电压输入选择开关，所述列引导线均连接一个输入信号控制子电路。