[发明专利]一种体硅MOSFET结构有效
| 申请号： | 201310454462.6 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103500760A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王颖;贺晓雯;曹菲;邵雷 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种体硅金属氧化物半导体场效应管MOSFET结构，其特征在于，包括：p+层（2）和n-层（3）；
其中，所述p+层（2）和所述n-层（3）直接接触。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述n-层（3）使用的材料的禁带宽度大于硅材料的禁带宽度。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述n-层（3）使用的材料为碳化硅SiC或碳化硅的同质多象变体。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述碳化硅的同质多象变体包括以下之一：6H-SiC、4H-SiC、和3C-SiC。
5.根据权利要求1至4任一项所述的结构，其特征在于，
所述n-层（3）的掺杂浓度为1×1015cm-3，所述p+层（2）的掺杂浓度为6×1018cm-3-1×1019cm-3。
6.根据权利要求1至4任一项所述的结构，其特征在于，所述n-层（3）的厚度为5nm-10nm，所述p+层（2）的厚度为30nm-60nm。
7.根据权利要求1至4任一项所述的结构，其特征在于，
所述p+层（2）的载流子寿命τ<5×e-8s。
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