[发明专利]半导体器件

说明书

本申请是申请日为2010年9月3日、申请号为201010275292.1、名称为“电子部件的制造方法”的专利申请的分案申请。

相关申请的参照

本申请享有2009年9月24日申请的日本专利申请编号2009-219579的优先权的利益，该日本专利申请的全部内容被引用在本申请中。

技术领域

本发明总体地涉及电子部件的制造方法。

背景技术

以往，在电子部件的制造中，在通过所谓的侧壁复制工艺形成布线的情况下，以包围芯材的周围的方式形成侧壁。若换言之，则侧壁被形成为闭环状。并且，以侧壁为掩模，加工布线材料，为了将侧壁的图案复制到布线材料，将布线也形成为闭环状。为了将该闭环状的布线用作通常的布线，例如在特开2008-27991号公报中，实施切割闭环而形成线的、称为闭环切割的工序。

但是，该闭环切割工序一层布线一次地来进行。因而，在制造具有多层通过侧壁复制工艺形成的布线的电子部件的情况下，会存在工序数增加、尤其是掩模的使用块数增加的问题。这样的问题的影响在例如电阻变化型存储器（ReRAM:Resistive Random Access Memory）的制造中尤为显著。

发明内容

本发明提供一种电子部件的制造方法，其使用侧壁复制工艺形成下层布线层，该侧壁复制工艺沿着在基底材料上形成的图案的侧壁形成具有闭环的侧壁膜，并在除去该图案而使上述侧壁膜残留之后，以该侧壁膜为掩模选择性地除去上述基底材料；在上述下层布线层的上层，使用上述侧壁复制工艺隔着其他层形成1层以上的上层布线层；通过一并进行将上述下层布线层及上述上层布线层的各个切断的蚀刻，对上述下层布线层和上述上层布线层实施闭环切割。

本发明提供一种半导体器件，其包括：多个布线，其具有m层，m是大于等于3的整数；多个存储单元，其在所述多个布线之间设置；以及第1绝缘膜，其在第1孔中形成，所述第1孔从所述多个布线的顶表面看在相同位置穿过所述多个布线的第n层和第n-2层的布线，n是大于等于3且小于等于m的整数。

附图说明

图1A～图1Q是示意地示出第1实施例的非易失性存储装置的制造方法的一例的剖面图。

图2A～图2C是示出第1实施例的非易失性存储装置的制造方法的一例的示意图。

图3A～图3D是示意地示出第1实施例的非易失性存储装置的制造方法的一例的剖面图。

图4是示意地示出第1实施例的非易失性存储装置的制造方法的一例的俯视图。

图5A～图5L是示意地示出第1实施例的非易失性存储装置的制造方法的一例的剖面图。

图6是示意地示出第2实施例的非易失性存储装置的制造方法的一例的俯视图。

具体实施方式

根据实施例，使用侧壁复制工艺形成下层布线层，该侧壁复制工艺形成具有沿着图案的侧壁的闭环的侧壁膜，并在除去该图案而使侧壁膜残留之后，以该侧壁膜为掩模选择性地除去基底材料。接着，在下层布线层的上层，使用侧壁复制工艺隔着其他层形成1层以上的上层布线层。接着，通过一并进行将下层布线层及上层布线层的各个切断的蚀刻，对下层布线层和上层布线层实施闭环切割。

以下参照附图，详细说明实施例的电子部件的制造方法。另外，本发明并不由这些实施例所限定。另外，在以下所示的附图中，为了容易理解，存在各部件的比例尺与实际不同的情况。在各附图间也是同样。

（第1实施例）

在第1实施例中，作为使用侧壁复制技术形成多层布线层而成的非易失性存储装置，关于具有下述存储单元的交叉点型ReRAM的制作方法进行说明，该存储单元包含整流元件（二极管）和电阻变化元件（非易失性存储元件）。图1A～图1Q是示意地示出第1实施例的非易失性存储装置的制造方法的步骤的一例的剖面图。

首先，作为基底层，准备通过公知的方法形成有晶体管元件11及布线12的半导体基板10（图1A）。该半导体基板10，如图1A所示，半导体晶片上的晶体管元件11及与该晶体管元件11连接的布线12由绝缘层13、即硅氧化膜埋入，表面通过CMP处理被平坦化。