[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201310454320.X | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103560132A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 南晴宏之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
多个布线，其具有m层，m是大于等于3的整数；
多个存储单元，其在所述多个布线之间设置；以及
第1绝缘膜，其在第1孔中形成，所述第1孔从所述多个布线的顶表面看在相同位置穿过所述多个布线的第n层和第n-2层的布线，n是大于等于3且小于等于m的整数。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第2绝缘膜，其在第2孔中形成，所述第2孔从所述多个布线的第n-1层的布线的顶表面看在与所述第1孔不同的位置穿过所述第n-1层的布线。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜的材料相同。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第1绝缘膜的上表面高于所述第n层的布线的上表面。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第1绝缘膜的下表面低于所述第n-2层的布线的下表面。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第n层的布线和所述第n-2层的布线在所述第n层的布线与所述第1绝缘膜接触的部分和所述第n-2层的布线与所述第1绝缘膜接触的部分具有相同的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第1孔从所述多个布线的顶部看形成于所述第n层的布线和所述第n-2层的布线的端部的位置。
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述第1绝缘膜的上表面和所述第2绝缘膜的上表面在所述多个布线层叠的方向位于相同高度位置。
9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述第1绝缘膜的下表面和所述第2绝缘膜的下表面在所述多个布线层叠的方向位于相同高度位置。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
多个接触区域，其包括第1接触区域和第2接触区域；
其中，所述第1接触区域与作为所述第n层的一个布线的第1布线连接，
所述第2接触区域与作为所述第n-2层的一个布线的第2布线连接，
所述第1接触区域和所述第2接触区域从所述多个布线的顶部看位于不同的位置。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
多个接触区域，其分别与所述第n层的布线连接；
其中，所述多个接触区域包括在第3孔中形成的第3绝缘膜，所述第1绝缘膜和所述第3绝缘膜包括相同的材料。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第1绝缘膜与所述第n层的一个布线和所述第n-2层的一个布线的侧表面接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
