[发明专利]直接方式的闪烁体面板及其制造方法无效
| 申请号： | 201310453433.8 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103778989A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 许闰成;洪兑权;韩基烈 | 申请（专利权）人： | 株式会社阿碧兹儿 |
| 主分类号： | G21K4/00 | 分类号： | G21K4/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张若华 |
| 地址： | 韩国京畿道华*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直接 方式 闪烁 体面 及其 制造 方法 | ||
1.一种直接方式的闪烁体面板，其特征在于，包括：
闪烁体层，在成像器件上形成；
氧化物层，在所述闪烁体层上形成，透射X光，反射可视光线，阻断湿气透过。
2.根据权利要求1所述的直接方式的闪烁体面板，其特征在于，
所述氧化物层是由折射率处于1.0以上、2.0以下的第一氧化物层和折射率处于2.0以上、3.0以下的第二氧化物层多个积层的结构。
3.根据权利要求2所述的直接方式的闪烁体面板，其特征在于，
所述第一氧化物层是SiO2层，所述第二氧化层是TiO2层；
所述氧化物层的积层数在2个以上、31个以下。
4.根据权利要求2所述的直接方式的闪烁体面板，其特征在于，
所述氧化物层将折射率接近所述闪烁体层折射率的氧化物层先在所述闪烁体层上积层。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的直接方式的闪烁体面板，其特征在于，还包括：
在所述氧化物层上积层且透射X光、阻断湿气透过的保护膜。
6.一种直接方式的闪烁体面板的制造方法，其特征在于，实施步骤包括：
在成像器件上形成闪烁体层；
在所述闪烁体层上形成透射X光，反射可视光线，阻断湿气透过的氧化物层。
7.根据权利要求6所述的直接方式的闪烁体面板的制造方法，其特征在于，
所述氧化物层的形成步骤是将折射率处于1.0以上、2.0以下的第一氧化物层的形成步骤和折射率处于2.0以上、3.0以下的第二氧化物层的形成步骤反复多次进行。
8.根据权利要求7所述的直接方式的闪烁体面板的制造方法，其特征在于，
所述第一氧化物层是SiO2层，所述第二氧化物层是TiO2层。
9.根据权利要求7所述的直接方式的闪烁体面板的制造方法，其特征在于，
所述氧化物层的形成步骤是将折射率接近所述闪烁体层折射率的氧化物层先在所述闪烁体层上积层。
10.根据权利要求6～9中的任一项所述的直接方式的闪烁体面板的制造方法，其特征在于，
所述氧化物层的形成步骤采用工艺压力几十至几百mTorr的溅射、工艺压力10-5Torr以下的离子辅助真空蒸镀或基板倾斜公/自转方式。
11.根据权利要求10所述的直接方式的闪烁体面板的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述氧化物层上形成透射X光且阻断湿气透过的保护膜的步骤。
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