[发明专利]利用磁铁单元的溅射装置及其方法

说明书

技术领域

本发明涉及利用磁铁单元的溅射装置及其方法。

背景技术

溅射装置，是指为了镀膜工序，溅射靶源的装置。

目前存在韩国公开专利第2012-39856号等多个溅射装置，但靶源(source)的寿命短、被镀膜物的镀膜厚度偏差严重的情况很普遍。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供一种能够降低被镀膜物的镀膜厚度偏差的溅射装置及方法。

技术方案

根据本发明一实施例的溅射装置，包括：腔体；以及靶模块，其位于所述腔体内，并且具有靶源及产生磁场的至少一个磁铁单元。其中，所述磁铁单元在溅射工序期间摆动。

根据本发明另一实施例的用于溅射装置的靶模块，包括：靶源；以及磁铁部，其具有产生磁场的至少一个磁铁单元。其中，所述磁铁部能够摆动。

根据本发明又一实施例的溅射方法，包括：生成离子的步骤；通过产生磁场，而聚集所述离子的步骤；以及所述离子溅射至靶源的步骤。其中，在所述离子溅射至靶源的步骤期间，所述磁场的输出方向变化一次以上。

技术效果

根据本发明的溅射装置及其方法，通过使靶源旋转(rotating)，并使磁铁单元摆动(swing)，从而能够延长靶源的寿命，并且能够降低被镀膜物的镀膜厚度偏差。

附图说明

图1为简要显示本发明第一实施例的溅射装置的剖视图；

图2为显示本发明一个实施例的靶模块的工作的示意图；

图3为简要显示本发明第二实施例的溅射装置的剖视图；

图4为简要显示本发明第三实施例的溅射装置的剖视图。

附图标记说明

100:腔体(chamber body)   102:被镀膜物固定支架

104:被镀膜物             106:靶模块(target module)

110:背板(backing plate)  112:靶源(source)

114:磁铁部               116、118:磁铁单元

120:电源部

具体实施方式

以下参照附图，详细说明本发明的实施例。

图1为简要显示本发明第一实施例的溅射装置的剖视图，图2为显示本发明一个实施例的靶模块的工作的示意图。

参照图1（A），本实施例的溅射装置用于镀膜工序等，其包括：腔体（chamber body）100、被镀膜物固定支架102、靶模块106及电源部120。无须赘述，腔体上还附加形成气体投入口、基板(substrate)投入口、气体排出口等，但是这些结构众所周知，故在此省略。

被镀膜物固定支架102位于腔体100的内侧，例如可位于内侧底面，起到支撑被镀膜物104的作用。被镀膜物104只要为半导体基板、显示元件的基板、通讯设备等需要镀膜工序的设备，则无限制。根据本发明的一个实施例，被镀膜物固定支架102接入电源部120提供的电源，起到阳极功能。

靶模块106是包括作为靶材的靶源112的模块，可起到阴极功能。并且，靶模块106，还能够附加包括背板（Backing plate）110及磁铁部116。这种靶模块106整体上具有圆筒形状，但是在图1中只显示了剖面。

背板110，例如由金属构成，起到支撑靶源112的功能。优选地，背板110可具有圆形、椭圆形等形状。背板110从电源部120直接或间接地接入电源，其结果，为背板110起到阴极功能。

靶源112由将要镀膜于被镀膜物104的物质（靶材）构成，具有圆形等形状且形成于背板110的外周面。根据本发明的一个实施例，靶源112如图1（A）所示，能够旋转。靶源112虽然能够独立旋转，但也能够以与其他构件结合的状态，随着其他构件的旋转而旋转。即，在靶源112旋转的前提下，使靶源112旋转的结构不受特别限制。

磁铁部114如图1（B）所示，可包括第一磁铁单元116及第二磁铁单元118。

磁铁单元116及118，以背板110为基准，位于靶源112的相反侧，以磁铁部114的中心为基准相互对称地排列，并且可具有相同的结构及极性，例如可具有NSN(极)。其中，磁铁单元116及118可以为永久磁铁或电磁铁。因此，磁铁单元116及118产生磁场，其结果是，随着辉光放电，离子向磁场区域聚集。根据本发明的一个实施例，磁铁单元116及118，如图1（A）中的箭头所示，能够在预设范围内摆动，能够以与被镀膜物固定支架102相对向的方式排列。