[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201310451835.4 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103715224A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 许晶行;李在万;曺贵正;安昭妍 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求享有2013年9月28日提交的韩国专利申请No.10-2012-010927的权益,通过援引的方式将上述专利申请并入本文,如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置,尤其涉及一种通过减少发射层和与之相邻形成的空穴传输层或电子传输层之间的界面处的电阻而具有提高寿命的有机发光显示装置。
背景技术
在屏幕上显示各种信息的图像显示装置是信息和通信的核心技术,并且正日益变得更薄、更轻、更便携和更高性能。因而,通过控制有机发射层(EML)的发光来显示图像的有机发光装置(OLED)显示装置作为可解决阴极射线管(CRT)中存在的重量和体积方面问题的平板显示装置而受到关注。
OLED是包括位于电极之间的薄EML的自发射装置,且能够制造成厚度类似于纸张厚度的薄膜。具体而言,OLED包括阳极、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、EML、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)和阴极。
像这样,EML形成在HTL与ETL之间。在这方面,由于HTL和EML之间的界面势垒(interface barrier),空穴难以向EML移动,并且由于ETL与EML之间的界面势垒,电子难以向EML移动。因此,减少了OLED的寿命。
发明内容
因此,本发明涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一个或多个问题的有机发光显示装置。
本发明的一个目的旨在提供一种通过减少发射层和与之相邻形成的空穴传输层或电子传输层之间的界面处的电阻而具有提高寿命的有机发光显示装置。
在下面的描述中将列出本发明的其它优点、目的和特征的一部分,而一部分对于本领域普通技术人员来说在研究了下面的描述后将变得显而易见,或者可通过本发明的实施而领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点,并且根据本发明的目的,如本文所具体和宽泛描述的那样,一种有机发光显示装置包括在基板上相互面对的第一电极和第二电极;第一叠层,所述第一叠层包括空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层,所述层按顺序地层叠在所述第一电极上;第二叠层,所述第二叠层包括第三空穴传输层、第四空穴传输层、包含至少两种主体(host)和单一掺杂剂且具有至少三个发射区域的第二发射层、和第二电子传输层,所述层按顺序地层叠在所述第一叠层与所述第二电极之间;以及电荷产生层,所述电荷产生层形成在所述第一叠层与所述第二叠层之间并调节所述第一叠层与第二叠层之间的电荷平衡,其中所述第二发射层包括:包含所述第四空穴传输层的材料的第一发射区域、包含所述第二电子传输层的材料的第二发射区域和包含所述至少两种主体的第三发射区域。
所述第三发射区域可包括第一主体、第二主体和磷光掺杂剂。
所述第一发射区域可包括所述第一主体和磷光掺杂剂,所述磷光掺杂剂与所述第三发射区域的磷光掺杂剂相同。
所述第二发射区域可包括所述第二主体和磷光掺杂剂,所述磷光掺杂剂与所述第三发射区域的磷光掺杂剂相同。
所述第一主体可包括比所述第二主体更良好地(satisfactorily)接收从所述第四空穴传输层传输的空穴的材料。
所述第二主体可包括比所述第一主体更良好地接收从所述第二电子传输层传输的电子的材料。
所述第一发射区域可具有到的厚度,所述第二发射区域可具有到的厚度。
所述第二发射层可具有到的厚度。
在本发明的另一方面,一种有机发光显示装置包括在基板上相互面对的第一电极和第二电极;第一叠层,所述第一叠层包括空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层,所述层按顺序地层叠在所述第一电极上;第二叠层,所述第二叠层包括第三空穴传输层、第四空穴传输层、包含至少两种主体(host)及掺杂剂的第二发射层和第二电子传输层,所述层按顺序地层叠在所述第一叠层与所述第二电极之间;电荷产生层,所述电荷产生层形成在所述第一叠层与所述第二叠层之间并调节所述第一叠层与第二叠层之间的电荷平衡;以及第一混合层和第二混合层中的至少一种,所述第一混合层置于所述第四空穴传输层与第二发射层之间且包含所述第四空穴传输层的材料和所述掺杂剂,所述第二混合层置于所述第二电子传输层与所述第二发射层之间且包含所述第二电子传输层的材料和所述掺杂剂。
所述第二发射层可包括第一主体、第二主体和磷光掺杂剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的