[发明专利]有机发光显示装置有效
| 申请号: | 201310451835.4 | 申请日: | 2013-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN103715224A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
| 发明(设计)人: | 许晶行;李在万;曺贵正;安昭妍 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
在基板上相互面对的第一电极和第二电极;
第一叠层,所述第一叠层包括空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层,所述空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第二空穴传输层、所述第一发射层和所述第一电子传输层按顺序地层叠在所述第一电极上;
第二叠层,所述第二叠层包括第三空穴传输层、第四空穴传输层、包含至少两种主体和单一掺杂剂且具有至少三个发射区域的第二发射层和第二电子传输层,所述第三空穴传输层、所述第四空穴传输层、所述第二发射层和所述第二电子传输层按顺序地层叠在所述第一叠层与所述第二电极之间;以及
电荷产生层,所述电荷产生层形成在所述第一叠层与所述第二叠层之间并调节所述第一叠层与第二叠层之间的电荷平衡,
其中所述第二发射层包括:包含所述第四空穴传输层的材料的第一发射区域、包含所述第二电子传输层的材料的第二发射区域和包含所述至少两种主体的第三发射区域。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第三发射区域包括第一主体、第二主体和磷光掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述第一发射区域包括所述第一主体和磷光掺杂剂,所述磷光掺杂剂与所述第三发射区域的所述磷光掺杂剂相同。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述第二发射区域包括所述第二主体和磷光掺杂剂,所述磷光掺杂剂与所述第三发射区域的磷光掺杂剂相同。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述第一主体包括比所述第二主体更多地接收从所述第四空穴传输层传输的空穴的材料。
6.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述第二主体包括比所述第一主体更多地接收从所述第二电子传输层传输的电子的材料。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一发射区域具有到的厚度,并且所述第二发射区域具有到的厚度。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第二发射层具有到的厚度。
9.一种有机发光显示装置,包括:
在基板上相互面对的第一电极和第二电极;
第一叠层,所述第一叠层包括空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发射层和第一电子传输层,所述空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第二空穴传输层、所述第一发射层和所述第一电子传输层按顺序地层叠在所述第一电极上;
第二叠层,所述第二叠层包括第三空穴传输层、第四空穴传输层、包含至少两种主体及掺杂剂的第二发射层和第二电子传输层,所述第三空穴传输层、所述第四空穴传输层、所述第二发射层和所述第二电子传输层按顺序地层叠在所述第一叠层与所述第二电极之间;
电荷产生层,所述电荷产生层形成在所述第一叠层与所述第二叠层之间并调节所述第一叠层与第二叠层之间的电荷平衡;以及
第一混合层和第二混合层中的至少一种,所述第一混合层置于所述第四空穴传输层与所述第二发射层之间,所述第二混合层置于所述第二电子传输层与所述第二发射层之间,其中所述第一混合层包含所述第四空穴传输层的材料和所述掺杂剂,而所述第二混合层包含所述第二电子传输层的材料和所述掺杂剂。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述第二发射层包括第一主体、第二主体和磷光掺杂剂。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中所述第一主体包括比所述第二主体更多地接收从所述第一混合层传输的空穴的材料,所述第一混合层包含所述第四空穴传输层的材料。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中所述第二主体包括比所述第一主体更多地接收从所述第二混合层传输的电子的材料,所述第二混合层包含所述第二电子传输层的材料。
13.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述第一混合层和第二混合层的掺杂剂与所述第二发射层的掺杂剂相同。
14.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述第一混合层具有到的厚度,并且所述第二混合层具有到的厚度。
15.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述第二发射层具有到的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





