[发明专利]一种OLED像素结构和OLED显示装置无效
申请号: | 201310451132.1 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103500752A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 石领;永山和由;史世明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 像素 结构 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种OLED像素结构和OLED显示装置。
背景技术
透明显示是近几年较热点的技术方向,作为现有平板显示的主流,TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)-LCD(Liquid Crystal Display:液晶显示器)和AMOLED(Active Matrix Organic Light-Emitting Device,有源驱动式电致发光器件)都可以实现透明显示,其中尤以AMOLED透明显示效果更佳,也是主流的研究方向。
OLED是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广等优点,使其具有广阔的应用前景。相比液晶显示装置,由于OLED显示装置中的OLED器件本身能发光,因此能省去液晶显示装置中笨重的背光源,获得更轻薄的整机结构。但是,在现有技术中,大部分AMOLED透明显示技术均采用双面发射,使得OLED器件光源发出的大部分光均未得到合理利用,导致光源利用率较低。
另外,在现有技术的透明AMOLED显示装置中,大多采用了空白窗口,即在每个像素或若干像素中设置一个透明的窗口,在此区域中未设置OLED器件或不对OLED器件进行驱动,而保持该区域的常态的光学性质以使之实现透明显示。由于空白窗口对应的区域仅作为透射区使用,而不能被有效利用于显示画面,显示面板的利用率较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种OLED像素结构和OLED显示装置,该OLED像素结构能有效提高OLED器件的光源利用率,有效提高显示面板的利用率。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该OLED像素结构,包括薄膜晶体管和OLED器件,所述薄膜晶体管中设置有驱动电极,所述驱动电极用于对所述OLED器件的发光与否进行控制,其中,所述像素结构包括透射区和反射区,所述反射区内设置有由所述驱动电极延伸形成的反射层。
优选的是,所述驱动电极包括栅极、以及同层设置的源极和漏极,所述反射层由所述栅极或所述漏极向所述像素结构中心延伸形成。
优选的是,所述OLED器件为顶发射型结构,所述OLED器件包括相对设置的阳极和阴极,所述反射层设置于所述阳极的下方、且与所述阳极在正投影方向上部分重叠。
优选的是,所述反射层与所述栅极或所述漏极采用相同的材料形成。
优选的是,所述阳极和所述阴极采用透明电极材料或具有同等透明效果的金属合金材料形成,所述反射层采用铝、铜、钼、铝钕合金、铬、钛或银形成。
优选的是,所述反射层与所述栅极或所述漏极采用同一构图工艺形成。
优选的是,所述反射层的厚度等于所述栅极或所述漏极的厚度。
进一步优选的是,所述反射区与所述透射区的面积比为1:1。
优选的是,所述薄膜晶体管包括顶栅型结构和底栅型结构,所述薄膜晶体管中为a-Si薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或有机薄膜晶体管。
一种OLED显示装置,包括多个像素结构,所述像素结构采用上述的OLED像素结构。
本发明的有益效果是:本发明提供的OLED像素结构,采用顶发射型OLED结构,OLED器件的阳极和阴极均使用透明电极材料或具有同等透明效果的金属合金材料;且通过改善用于驱动OLED器件的薄膜晶体管的金属电极(栅极或漏极)的图形,使其作为像素结构的反射层,能将OLED器件的部分光反射回阳极进一步加以利用,进一步提高了OLED像素结构中OLED器件的光源利用率;还可用于显示背景图像,实现透明显示,相比现有技术中的像素结构减小了空白窗口的区域,提高了显示面板的利用率。
附图说明
图1为本发明实施例1中OLED像素结构的剖视图;
图2为对应着图1中OLED像素结构的俯视图;
图3为本发明实施例2中OLED像素结构的剖视图;
图4为对应着图3中OLED像素结构的俯视图;
图中:1-基板;2-栅极;3-栅绝缘层;4-有源层;5-刻蚀阻挡层;6-源极;7-漏极;8-钝化层;9-树脂层;10-阳极;11-像素限定层;12-发光层;13-阴极;14-封装层;15-封装基板;16-过孔;17-反射层;18-反射区;19-透射区。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的