[发明专利]一种OLED像素结构和OLED显示装置

权利要求书

1.一种OLED像素结构，包括薄膜晶体管和OLED器件，所述薄膜晶体管中设置有驱动电极，所述驱动电极用于对所述OLED器件的发光与否进行控制，其特征在于，所述像素结构包括透射区和反射区，所述反射区内设置有由所述驱动电极延伸形成的反射层。

2.根据权利要求1所述的OLED像素结构，其特征在于，所述驱动电极包括栅极、以及同层设置的源极和漏极，所述反射层由所述栅极或所述漏极向所述像素结构中心延伸形成。

3.根据权利要求3所述的OLED像素结构，其特征在于，所述OLED器件为顶发射型结构，所述OLED器件包括相对设置的阳极和阴极，所述反射层设置于所述阳极的下方、且与所述阳极在正投影方向上部分重叠。

4.根据权利要求3所述的OLED像素结构，其特征在于，所述反射层与所述栅极或所述漏极采用相同的材料形成。

5.根据权利要求4所述的OLED像素结构，其特征在于，所述阳极和所述阴极采用透明电极材料或具有同等透明效果的金属合金材料形成，所述反射层采用铝、铜、钼、铝钕合金、铬、钛或银形成。

6.根据权利要求5所述的OLED像素结构，其特征在于，所述反射层与所述栅极或所述漏极采用同一构图工艺形成。

7.根据权利要求6所述的OLED像素结构，其特征在于，所述反射层的厚度等于所述栅极或所述漏极的厚度。

8.根据权利要求1-7任一项所述的OLED像素结构，其特征在于，所述反射区与所述透射区的面积比为1:1。

9.根据权利要求1-7任一项所述的OLED像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管包括顶栅型结构和底栅型结构，所述薄膜晶体管中为a-Si薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或有机薄膜晶体管。

10.一种OLED显示装置，包括多个像素结构，其特征在于，所述像素结构采用权利要求1-9任一项所述的OLED像素结构。