[发明专利]柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置

说明书

技术领域

本发明属于柔性显示技术领域，具体涉及一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，柔性显示装置获得了越来越广泛的应用，柔性显示装置包括有机发光二极管显示装置、电泳显示装置、液晶显示装置等不同类型。显然，柔性显示装置的显示基板(如柔性有机发光二极管显示装置的阵列基板)的基底必须是柔性基底，而柔性基底主要由聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料制成。

由于柔性基底易发生变形，故在显示基板的制备过程中，柔性基底的定位、搬运、存储等均比较困难。为此，如图1、图2所示，通常要先在玻璃基底1上形成柔性材料层2，之后依次在柔性材料层2上形成缓冲层4和各种显示结构9(包括薄膜晶体管、数据线、栅线、电容、阳极、阴极、有机发光层、像素界定层等，因这些均是已知结构，故图中未标号)，再用紫外激光从玻璃基底1侧照射柔性材料层2，使柔性材料层2与玻璃基底间1的附着力降低并与玻璃基底1分开(即激光剥离)，形成独立的柔性显示基板(此时柔性材料层2即成为柔性基底21)。

同时，柔性阵列基板中包括大量的薄膜晶体管，而低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管是薄膜晶体管的一种重要类型，其有源层911由多晶硅构成；该有源层911的制备方法是先形成非晶硅层，之后用紫外激光(准分子激光)从远离玻璃基底1的一侧照射非晶硅层，通过准分子激光退火(ELA)的方式使非晶硅熔融、成核、长大而转变为多晶硅，之后将多晶硅层构图形成有源层911。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

首先，在激光剥离的过程中，可能有部分激光穿过柔性材料层照射到显示结构上，从而对显示结构的性能造成影响；例如，若激光照射到薄膜晶体管(尤其是金属氧化物薄膜晶体管)的有源层上，则会引起阈值电压漂移等不良。

其次，对具有低温多晶硅薄膜晶体管的阵列基板，其激光退火过程中可能有激光穿过非晶硅层照射到柔性材料层上，从而对柔性材料层的性能造成破坏，例如造成柔性材料层碳化或与相邻的层(如缓冲层)分离等。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的柔性显示基板中的显示结构在进行激光剥离时容易受到损坏的问题，提供一种可避免激光剥离时显示结构受损的柔性显示基板及其制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种柔性显示基板，包括：

柔性基底：

设于柔性基底上的、能反射紫外光而透过可见光的紫外光反射层，其包括由交替的第一透明材料层与第二透明材料层组成的层叠结构，其中两种透明材料层数量相等且各有至少2层；且两透明材料层还满足：4nd=λ，其中d为任一透明材料层厚度，n为该透明材料层的折射率，λ为紫外光波长；

设于所述紫外光反射层上方的显示结构。

其中，“显示结构”是指形成在紫外光反射层上方的所有用于进行显示的结构，依照柔性显示基板类型的不同，显示结构可包括：薄膜晶体管、栅线、栅绝缘层、数据线、平坦化层(PLN)、钝化层（PVX）、电容、阳极、阴极、有机发光层、像素界定层(PDL)、彩色滤光膜、像素电极、公共电极、公共电极线等。

优选的是，所述第一透明材料层为厚度36nm的氮化硅层；所述第二透明材料层为厚度52nm的二氧化硅层。

进一步优选的是，所述柔性显示基板还包括：与所述层叠结构中最外侧的氮化硅层相邻的、厚度52nm的附加二氧化硅层；与所述层叠结构中最外侧的二氧化硅层相邻的、厚度23.76nm的附加氮化硅层。

进一步优选的是，所述第一透明材料层为2至6层。

进一步优选的是，所述第一透明材料层为4层。

优选的是，所述第一透明材料层为厚度30nm的二氧化钛层；所述第二透明材料层为厚度52nm的二氧化硅层。

进一步优选的是，所述第一透明材料层为2至5层。

进一步优选的是，所述第一透明材料层为3层。

优选的是，所述柔性基底由有机柔性材料制成。

优选的是，所述柔性显示基板为柔性阵列基板；所述显示结构包括低温多晶硅薄膜晶体管。

优选的是，所述柔性显示基板为柔性阵列基板，所述显示结构包括薄膜晶体管；所述柔性显示基板还包括：位于所述薄膜晶体管外侧的附加紫外光反射层。

其中，“附加紫外光反射层”也是指能反射紫外光而允许可见光透过的层，其也包括上述层叠结构，并满足上述公式。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种上述柔性显示基板的制备方法，其包括：