[发明专利]柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置有效
申请号: | 201310450966.0 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN103500745A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 陈立强;高涛;周伟峰;毛雪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种柔性显示基板,包括柔性基底,其特征在于,所述柔性显示基板还包括:
设于柔性基底上的、能反射紫外光而透过可见光的紫外光反射层,其包括由交替的第一透明材料层与第二透明材料层组成的层叠结构,其中两种透明材料层数量相等且各有至少2层;且两透明材料层还满足:4nd=λ,其中d为任一透明材料层厚度,n为该透明材料层的折射率,λ为紫外光波长;
设于所述紫外光反射层上方的显示结构。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述第一透明材料层为厚度36nm的氮化硅层;
所述第二透明材料层为厚度52nm的二氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的柔性显示基板,其特征在于,还包括:
与所述层叠结构中最外侧的氮化硅层相邻的、厚度为52nm的附加二氧化硅层;
与所述层叠结构中最外侧的二氧化硅层相邻的、厚度为23.76nm的附加氮化硅层。
4.根据权利要求2所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述第一透明材料层层数为2至6层。
5.根据权利要求4所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述第一透明材料层层数为4层。
6.根据权利要求1所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述第一透明材料层为厚度30nm的二氧化钛层;
所述第二透明材料层为厚度52nm的二氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述第一透明材料层层数为2至5层。
8.根据权利要求7所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述第一透明材料层层数为3层。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述柔性基底由有机柔性材料制成。
10.根据权利要求1至8中任意一项所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述柔性显示基板为柔性阵列基板;
所述显示结构包括低温多晶硅薄膜晶体管。
11.根据权利要求1至8中任意一项所述的柔性显示基板,其特征在于,
所述柔性显示基板为柔性阵列基板,所述显示结构包括薄膜晶体管;
所述柔性显示基板还包括:位于所述薄膜晶体管外侧的附加紫外光反射层。
12.一种权利要求1至11中任意一项所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成柔性材料层;
在柔性材料层上形成所述紫外光反射层,其包括:交替形成第一透明材料层与第二透明材料层,得到层叠结构;
形成显示结构;
通过激光剥离的方式使柔性材料层与基底分离,得到柔性显示基板。
13.根据权利要求12所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所制备的柔性显示基板为柔性阵列基板,所述显示结构包括低温多晶硅薄膜晶体管;所述形成显示结构包括:
形成非晶硅层;
通过激光退火将非晶硅层转变为多晶硅层。
14.一种柔性显示装置,包括权利要求1至11中任意一项所述的柔性显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的