[发明专利]半导体存储器装置和电子装置无效

专利信息
申请号: 201310450572.5 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103678191A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 藤冈伸也 申请(专利权)人: 富士通半导体股份有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F12/02;G11C17/16
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 李晓冬
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 电子
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器装置,包括:

多个存储器块;

与所述多个存储器块分别相关联地设置的多条总线线路;

多个输入/输出端口;

选择器,该选择器选择性地将所述多条总线线路中的每一条连接到所述多个输入/输出端口中的任一个;以及

设定单元,该设定单元设定所述选择器的连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中

所述设定单元包括寄存器,并且

所述设定单元基于所述寄存器中保存的设定信息来设定所述选择器的连接。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置,包括:

与所述多个输入/输出端口相关联的多个所述寄存器和多个所述选择器。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置,其中

所述寄存器中保存的所述设定信息经由与所述寄存器相关联的输入/输出端口被发送到所述寄存器。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置,其中

所述寄存器是模式寄存器,并且

所述设定信息是对应于设定命令而被发送的。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中

所述设定单元基于由熔丝设定的设定信息来设定所述选择器的连接。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中

所述设定单元基于由接合选项设定的设定信息来设定所述选择器的连接。

8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的半导体存储器装置,还包括:

电源控制电路,该电源控制电路将未连接到所述多个输入/输出端口中的任何一个的存储器块的电源关断。

9.根据权利要求1至8中的任何一项所述的半导体存储器装置,其中

所述多个输入/输出端口的每个包括输入缓冲器、输出缓冲器、地址译码器和命令译码器,并且

所述多条总线线路的每个包括数据总线线路、地址总线线路和命令总线线路。

10.一种电子装置,包括:

半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:多个存储器块;与所述多个存储器块分别相关联地设置的多条总线线路;多个输入/输出端口;选择器,该选择器选择性地将所述多条总线线路中的每一条连接到所述多个输入/输出端口中的任一个;以及设定单元,该设定单元设定所述选择器的连接;以及

多个处理单元,

所述选择器被设定成使得从所述多个处理单元中的一个处理单元访问的存储器块和从所述多个处理单元中的其他处理单元的访问的存储器块是彼此不同的。

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