[发明专利]光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法。

背景技术

Array基板的制作过程通常采用光刻技术，具体制作过程如下：在基板上涂覆一层光刻胶；对光刻胶进行曝光和显影处理，形成所需图形；根据形成的图形对基板进行刻蚀处理；通过剥离设备对剩余的光刻胶进行剥离处理，形成Array基板。剥离设备对基板上光刻胶的剥离原理是，通过剥离设备的剥离液对光刻胶进行溶解，以达到剥离光刻胶的目的。因此在实际生产过程中，需要单独配备剥离设备对光刻胶进行剥离处理。

在TFT阵列基板的制作过程中，沟道主要采用灰化工艺进行制作，灰化工艺流程如下：在基板上涂覆一层光刻胶；对光刻胶进行半曝光处理和显影处理，去除设定厚度的沟道图形位置对应的光刻胶；然后采用高功率设备使化学气体与沟道图形位置对应的剩余光刻胶反应，去除沟道图形位置对应的剩余光刻胶，形成所需的沟道图形；通过剥离设备对沟道图形以外的光刻胶进行剥离处理，形成TFT阵列基板的沟道。因此在灰化工艺中，需要配置高功率设备，并需要通过高功率设备将化学气体与光刻胶反应，去除所需厚度的光刻胶，使设备投入成本升高，并且高功率设备耗能较大，增加了生产成本。

因此现有技术中，需要配置剥离设备对光刻胶进行剥离处理，配置高功率设备进行灰化工艺处理时，增加了设备投入，提高了生产成本。

发明内容

本发明实施例提供了一种光刻胶的剥离方法，以解决现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体，增加了设备投入，提高了生产成本的问题。

本发明实施例提供了一种光刻胶的剥离方法，用于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，该方法包括：

对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；

通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶。

上述实施例中由于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光和显影处理，无需配置剥离设备，或高功率设备对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行剥离或灰化处理，节约了设备成本。

较佳地，根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光能量；根据所述确定的曝光处理的曝光能量，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。

对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，是对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行整体剥离处理，需要去除的光刻胶的厚度为构图工艺处理后的基板上的光刻胶的最大厚度。

对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，是对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行灰化处理，需要去除的光刻胶的厚度为构图工艺处理后的基板上的光刻胶厚度的一部分。

根据不同的工艺要求，确定对所述光刻胶进行曝光处理的曝光能量，使去除的光刻胶的厚度达到设定的厚度，工艺调整灵活，能适应不同的工艺要求。

较佳地，根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光强度；根据所述确定的曝光处理的曝光强度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；或根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的时间长度；根据所述确定的曝光处理的时间长度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。

本发明实施例中，根据需要去除的光刻胶的厚度确定对光刻胶进行曝光处理的能量，其中曝光能量可以根据曝光强度确定，也可以根据曝光时间时长进行确定，去除相同厚度的光刻胶，曝光强度越大，曝光时间越短，曝光强度越小，曝光时长越长，曝光的强度和曝光的时长与光刻胶的成分也有一定的关系。

进一步的，通过曝光光源对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。曝光光源包括：白光光源，紫外光源。

当所述光源为条状光源时，所述条状光源沿与基板平行的方向匀速照射基板，使所述基板上的光刻胶的曝光程度相同。当所述光源为平面状光源时，所述光源垂直照射在基板上，使所述基板上的光刻胶的曝光程度相同。通过短波光源对所述光刻胶进行曝光处理，得到所需厚度的曝光后的光刻胶。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制造方法，包括利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形，以及对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤，该方法包括：对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤包括上述任意一种光刻胶去除方法。

上述实施例中由于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光和显影处理，无需配置剥离设备，或高功率设备对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行剥离或灰化处理，节约了设备成本。